DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

A method for manufacturing a display device comprises the steps of: forming a first inorganic layer, a second inorganic layer, an active pattern, a third inorganic layer, a first gate metal pattern, a fourth inorganic layer, a second gate metal pattern and a fifth inorganic layer on top of a base su...

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Hauptverfasser: KIM DEOK HOI, MOON YOU HAN, HA JUNG WOO, KIM SWAE HYUN, LEE JEONG HO
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method for manufacturing a display device comprises the steps of: forming a first inorganic layer, a second inorganic layer, an active pattern, a third inorganic layer, a first gate metal pattern, a fourth inorganic layer, a second gate metal pattern and a fifth inorganic layer on top of a base substrate having a pixel region and a bending region; forming a first photoresist pattern on top of the fifth inorganic layer; etching the inorganic layers overlapping with the first opening part of the first photoresist pattern in the bending region; forming a residual photoresist pattern by partly removing the first photoresist pattern; and etching the inorganic layers overlapping with the first opening part and the second opening part of the residual photoresist pattern. Therefore, provided is a method for manufacturing a display device, wherein the number of masks can be reduced. 표시 장치의 제조 방법은, 화소 영역과 벤딩 영역을 갖는 베이스 기판 위에, 제1 무기층, 제2 무기층, 액티브 패턴, 제3 무기층, 제1 게이트 금속 패턴, 제4 무기층, 제2 게이트 금속 패턴 및 제5 무기층을 형성하는 단계, 상기 제5 무기층 위에, 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 벤딩 영역에서 상기 제1 포토레지스 패턴의 상기 제1 개구부와 중첩하는 무기층들을 식각하는 단계, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하여, 잔류 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 잔류 포토레지스트 패턴의 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부와 중첩하는 무기층들을 식각하는 단계를 포함한다.