METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
A method and apparatus for manufacturing a semiconductor device are disclosed. The disclosed method of manufacturing the semiconductor device may include the steps of: forming a second conductivity type impurity region on the surface side of a first conductivity type substrate; forming a conductive...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | A method and apparatus for manufacturing a semiconductor device are disclosed. The disclosed method of manufacturing the semiconductor device may include the steps of: forming a second conductivity type impurity region on the surface side of a first conductivity type substrate; forming a conductive layer on the surface of the substrate; and performing heat treatment while applying a voltage through the conductive layer and the electrode of an electrostatic chuck in a state in which the substrate is loaded on the electrostatic chuck.
반도체 소자의 제조방법 및 제조 장치가 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자의 제조방법은, 제1 도전형 기판의 표면 측에 제2 도전형 불순물 영역을 형성하는 단계; 상기 기판의 표면 상에 전도층을 형성하는 단계; 및 상기 기판을 정전척 상에 로딩한 상태에서 상기 정전척의 전극 및 상기 전도층을 통해 전압을 인가하면서 열처리를 수행하는 단계;를 포함할 수 있다. |
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