광전자 소자를 제조하기 위한 방법 및 광전자 소자

본 발명은 광전자 소자(1)를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 다음 단계들: - 전자 제어 요소들(4)을 포함하는 기능성 반도체 층(3) 및 성장층(5)을 구비한 반도체 웨이퍼(2)를 제공하는 단계, - 상기 성장층(5)을 국부적으로 노출시키는 복수의 리세스(6)를 상기 반도체 웨이퍼(2) 내에 생성하는 단계 및 - 상기 노출된 성장층(6) 상으로 복수의 반도체 층 스택(7)을 에피택셜 성장시키는 단계를 포함한다. 계속해서 본 발명은 광전자 소자(1)에 관한 것이다. A method of producing an optoelectronic component includes providing a semiconductor wafer with a functional semiconductor layer that has electronic control elements, and a growth layer; generating a plurality of recesses in the semiconductor wafer exposing the growth layer in places; and epitaxially growing a plurality of semiconductor layer stacks on the exposed growth layer, wherein a surface of the exposed growth layer is used as a growth surface for the semiconductor layer stacks, and the growth surface is inclined to a main extension plane of the semiconductor wafer.