SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

The present invention relates to a semiconductor package to prevent damage to a joint region between a conductive ball and an under bump metal (UBM) and a manufacturing method thereof. According to the present invention, the semiconductor package comprises: a semiconductor chip including a pad; a fi...

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Hauptverfasser: CHUNG MYUNG KEE, CHUNG HYUN SOO, YOO TAE WON
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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creator CHUNG MYUNG KEE
CHUNG HYUN SOO
YOO TAE WON
description The present invention relates to a semiconductor package to prevent damage to a joint region between a conductive ball and an under bump metal (UBM) and a manufacturing method thereof. According to the present invention, the semiconductor package comprises: a semiconductor chip including a pad; a first insulating pattern formed on the upper surface of the semiconductor chip to expose the pad; a redistribution layer formed on the upper surface of the first insulating pattern and electrically connected to the pad; a second insulating pattern formed on the upper surface of the first insulating pattern and including at least one opening exposing ball lands of the redistribution layer and at least one pattern part disposed in the opening; a UBM formed on the second insulating pattern and the upper surfaces of the pattern parts to fill the opening and including a first locking hole exposing the upper surface of the ball land; and a conductive ball formed on the upper surface of the UBM and including a first locking part inserted into the first locking hole, wherein the first locking hole has an area of 10 to 50% of the area of the upper surface of the UBM. 반도체 패키지는 반도체 칩, 제 1 절연 패턴, 재배선층, 제 2 절연 패턴, UBM 및 도전 볼을 포함할 수 있다. 상기 반도체 칩은 패드를 가질 수 있다. 상기 제 1 절연 패턴은 상기 패드가 노출되도록 상기 반도체 칩의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 재배선층은 상기 제 1 절연 패턴의 상부면에 형성되고, 상기 패드에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 절연 패턴은 상기 제 1 절연 패턴의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 제 2 절연 패턴은 상기 재배선층의 볼 랜드를 노출시키는 적어도 하나의 오프닝, 및 상기 오프닝 내에 위치한 적어도 하나의 패턴부를 포함할 수 있다. 상기 UBM은 상기 제 2 절연 패턴과 상기 패턴부의 상부면들에 형성되어 상기 오프닝을 매립할 수 있다. 상기 UBM은 상기 볼 랜드의 상부면을 노출시키는 제 1 로킹 홀을 포함할 수 있다. 상기 도전 볼은 상기 UBM의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 도전 볼은 상기 제 1 로킹 홀에 삽입된 제 1 로킹부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 로킹 홀은 상기 UBM의 상부면 면적의 10% 내지 50%의 면적을 가질 수 있다.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20210103743A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20210103743A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20210103743A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZLAKdvX1dPb3cwl1DvEPUghwdPZ2dHdVcPRzUfB1DfHwd1Hwd1PwdfQLdXN0DgkN8vRzVwjxcFUIdvR15WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8d5BRgZGhgaGBsbmJsaOxsSpAgBBZyma</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME</title><source>esp@cenet</source><creator>CHUNG MYUNG KEE ; CHUNG HYUN SOO ; YOO TAE WON</creator><creatorcontrib>CHUNG MYUNG KEE ; CHUNG HYUN SOO ; YOO TAE WON</creatorcontrib><description>The present invention relates to a semiconductor package to prevent damage to a joint region between a conductive ball and an under bump metal (UBM) and a manufacturing method thereof. According to the present invention, the semiconductor package comprises: a semiconductor chip including a pad; a first insulating pattern formed on the upper surface of the semiconductor chip to expose the pad; a redistribution layer formed on the upper surface of the first insulating pattern and electrically connected to the pad; a second insulating pattern formed on the upper surface of the first insulating pattern and including at least one opening exposing ball lands of the redistribution layer and at least one pattern part disposed in the opening; a UBM formed on the second insulating pattern and the upper surfaces of the pattern parts to fill the opening and including a first locking hole exposing the upper surface of the ball land; and a conductive ball formed on the upper surface of the UBM and including a first locking part inserted into the first locking hole, wherein the first locking hole has an area of 10 to 50% of the area of the upper surface of the UBM. 반도체 패키지는 반도체 칩, 제 1 절연 패턴, 재배선층, 제 2 절연 패턴, UBM 및 도전 볼을 포함할 수 있다. 상기 반도체 칩은 패드를 가질 수 있다. 상기 제 1 절연 패턴은 상기 패드가 노출되도록 상기 반도체 칩의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 재배선층은 상기 제 1 절연 패턴의 상부면에 형성되고, 상기 패드에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 절연 패턴은 상기 제 1 절연 패턴의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 제 2 절연 패턴은 상기 재배선층의 볼 랜드를 노출시키는 적어도 하나의 오프닝, 및 상기 오프닝 내에 위치한 적어도 하나의 패턴부를 포함할 수 있다. 상기 UBM은 상기 제 2 절연 패턴과 상기 패턴부의 상부면들에 형성되어 상기 오프닝을 매립할 수 있다. 상기 UBM은 상기 볼 랜드의 상부면을 노출시키는 제 1 로킹 홀을 포함할 수 있다. 상기 도전 볼은 상기 UBM의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 도전 볼은 상기 제 1 로킹 홀에 삽입된 제 1 로킹부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 로킹 홀은 상기 UBM의 상부면 면적의 10% 내지 50%의 면적을 가질 수 있다.</description><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20210824&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20210103743A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25562,76317</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20210824&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20210103743A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>CHUNG MYUNG KEE</creatorcontrib><creatorcontrib>CHUNG HYUN SOO</creatorcontrib><creatorcontrib>YOO TAE WON</creatorcontrib><title>SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME</title><description>The present invention relates to a semiconductor package to prevent damage to a joint region between a conductive ball and an under bump metal (UBM) and a manufacturing method thereof. According to the present invention, the semiconductor package comprises: a semiconductor chip including a pad; a first insulating pattern formed on the upper surface of the semiconductor chip to expose the pad; a redistribution layer formed on the upper surface of the first insulating pattern and electrically connected to the pad; a second insulating pattern formed on the upper surface of the first insulating pattern and including at least one opening exposing ball lands of the redistribution layer and at least one pattern part disposed in the opening; a UBM formed on the second insulating pattern and the upper surfaces of the pattern parts to fill the opening and including a first locking hole exposing the upper surface of the ball land; and a conductive ball formed on the upper surface of the UBM and including a first locking part inserted into the first locking hole, wherein the first locking hole has an area of 10 to 50% of the area of the upper surface of the UBM. 반도체 패키지는 반도체 칩, 제 1 절연 패턴, 재배선층, 제 2 절연 패턴, UBM 및 도전 볼을 포함할 수 있다. 상기 반도체 칩은 패드를 가질 수 있다. 상기 제 1 절연 패턴은 상기 패드가 노출되도록 상기 반도체 칩의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 재배선층은 상기 제 1 절연 패턴의 상부면에 형성되고, 상기 패드에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 절연 패턴은 상기 제 1 절연 패턴의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 제 2 절연 패턴은 상기 재배선층의 볼 랜드를 노출시키는 적어도 하나의 오프닝, 및 상기 오프닝 내에 위치한 적어도 하나의 패턴부를 포함할 수 있다. 상기 UBM은 상기 제 2 절연 패턴과 상기 패턴부의 상부면들에 형성되어 상기 오프닝을 매립할 수 있다. 상기 UBM은 상기 볼 랜드의 상부면을 노출시키는 제 1 로킹 홀을 포함할 수 있다. 상기 도전 볼은 상기 UBM의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 도전 볼은 상기 제 1 로킹 홀에 삽입된 제 1 로킹부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 로킹 홀은 상기 UBM의 상부면 면적의 10% 내지 50%의 면적을 가질 수 있다.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLAKdvX1dPb3cwl1DvEPUghwdPZ2dHdVcPRzUfB1DfHwd1Hwd1PwdfQLdXN0DgkN8vRzVwjxcFUIdvR15WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8d5BRgZGhgaGBsbmJsaOxsSpAgBBZyma</recordid><startdate>20210824</startdate><enddate>20210824</enddate><creator>CHUNG MYUNG KEE</creator><creator>CHUNG HYUN SOO</creator><creator>YOO TAE WON</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20210824</creationdate><title>SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME</title><author>CHUNG MYUNG KEE ; CHUNG HYUN SOO ; YOO TAE WON</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20210103743A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2021</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>CHUNG MYUNG KEE</creatorcontrib><creatorcontrib>CHUNG HYUN SOO</creatorcontrib><creatorcontrib>YOO TAE WON</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>CHUNG MYUNG KEE</au><au>CHUNG HYUN SOO</au><au>YOO TAE WON</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME</title><date>2021-08-24</date><risdate>2021</risdate><abstract>The present invention relates to a semiconductor package to prevent damage to a joint region between a conductive ball and an under bump metal (UBM) and a manufacturing method thereof. According to the present invention, the semiconductor package comprises: a semiconductor chip including a pad; a first insulating pattern formed on the upper surface of the semiconductor chip to expose the pad; a redistribution layer formed on the upper surface of the first insulating pattern and electrically connected to the pad; a second insulating pattern formed on the upper surface of the first insulating pattern and including at least one opening exposing ball lands of the redistribution layer and at least one pattern part disposed in the opening; a UBM formed on the second insulating pattern and the upper surfaces of the pattern parts to fill the opening and including a first locking hole exposing the upper surface of the ball land; and a conductive ball formed on the upper surface of the UBM and including a first locking part inserted into the first locking hole, wherein the first locking hole has an area of 10 to 50% of the area of the upper surface of the UBM. 반도체 패키지는 반도체 칩, 제 1 절연 패턴, 재배선층, 제 2 절연 패턴, UBM 및 도전 볼을 포함할 수 있다. 상기 반도체 칩은 패드를 가질 수 있다. 상기 제 1 절연 패턴은 상기 패드가 노출되도록 상기 반도체 칩의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 재배선층은 상기 제 1 절연 패턴의 상부면에 형성되고, 상기 패드에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 절연 패턴은 상기 제 1 절연 패턴의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 제 2 절연 패턴은 상기 재배선층의 볼 랜드를 노출시키는 적어도 하나의 오프닝, 및 상기 오프닝 내에 위치한 적어도 하나의 패턴부를 포함할 수 있다. 상기 UBM은 상기 제 2 절연 패턴과 상기 패턴부의 상부면들에 형성되어 상기 오프닝을 매립할 수 있다. 상기 UBM은 상기 볼 랜드의 상부면을 노출시키는 제 1 로킹 홀을 포함할 수 있다. 상기 도전 볼은 상기 UBM의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 도전 볼은 상기 제 1 로킹 홀에 삽입된 제 1 로킹부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 로킹 홀은 상기 UBM의 상부면 면적의 10% 내지 50%의 면적을 가질 수 있다.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; kor
recordid cdi_epo_espacenet_KR20210103743A
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-09T22%3A15%3A49IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=CHUNG%20MYUNG%20KEE&rft.date=2021-08-24&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20210103743A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true