오버레이 타겟을 사용한 필드 대 필드 보정

계측 시스템은 계측 도구에 결합된 제어기를 포함할 수 있다. 제어기는, 리소그래피 도구를 사용하여 샘플 상의 제1 노출 필드를 노출시켜 형성된 적어도 제1 피처(feature)와, 리소그래피 도구를 사용하여 샘플 상의 제2 노출 필드를 노출시켜 형성된 적어도 제2 피처를 포함하는 계측 타겟 설계를 수신할 수 있으며, 여기서 제2 노출 필드는 샘플 상의 계측 타겟의 위치에서 제1 노출 필드와 중첩된다. 제어기는 또한 계측 타겟 설계에 따라 제조된 계측 타겟과 연관된 계측 데이터를 수신하고, 계측 데이터에 기초하여 계측 타겟의 제조 동...

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Hauptverfasser: GHINOVKER MARK, VOLKOVICH ROIE, LESHINSKY ALTSHULLER ENNA, STEELY CHRIS, TARSHISH SHAPIR INNA, BEN DOV GUY, SHAPHIROV DIANA
Format: Patent
Sprache:kor
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creator GHINOVKER MARK
VOLKOVICH ROIE
LESHINSKY ALTSHULLER ENNA
STEELY CHRIS
TARSHISH SHAPIR INNA
BEN DOV GUY
SHAPHIROV DIANA
description 계측 시스템은 계측 도구에 결합된 제어기를 포함할 수 있다. 제어기는, 리소그래피 도구를 사용하여 샘플 상의 제1 노출 필드를 노출시켜 형성된 적어도 제1 피처(feature)와, 리소그래피 도구를 사용하여 샘플 상의 제2 노출 필드를 노출시켜 형성된 적어도 제2 피처를 포함하는 계측 타겟 설계를 수신할 수 있으며, 여기서 제2 노출 필드는 샘플 상의 계측 타겟의 위치에서 제1 노출 필드와 중첩된다. 제어기는 또한 계측 타겟 설계에 따라 제조된 계측 타겟과 연관된 계측 데이터를 수신하고, 계측 데이터에 기초하여 계측 타겟의 제조 동안 하나 이상의 제조 오류를 결정하며, 하나 이상의 제조 오류에 기초해 하나 이상의 후속 리소그래피 단계에서 리소그래피 도구의 하나 이상의 제조 파라미터를 조정하기 위한 보정 가능 항목(correctables)을 생성할 수 있다. A metrology system may include a controller to receive a first metrology dataset associated with a first set of metrology target features on a sample including first features from a first exposure field on a first sample layer and second features from a second exposure field on a second sample layer, where the second exposure field partially overlaps the first exposure field. The controller may further receive a second metrology dataset associated with a second set of metrology target features including third features from a third exposure field on the second layer that overlaps the first exposure field and fourth features formed from a fourth exposure field on the first layer of the sample that overlaps the second exposure field. The controller may further determine fabrication errors based on the first and second metrology datasets and generate correctables to adjust a lithography tool based on the fabrication errors.
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A metrology system may include a controller to receive a first metrology dataset associated with a first set of metrology target features on a sample including first features from a first exposure field on a first sample layer and second features from a second exposure field on a second sample layer, where the second exposure field partially overlaps the first exposure field. The controller may further receive a second metrology dataset associated with a second set of metrology target features including third features from a third exposure field on the second layer that overlaps the first exposure field and fourth features formed from a fourth exposure field on the first layer of the sample that overlaps the second exposure field. 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A metrology system may include a controller to receive a first metrology dataset associated with a first set of metrology target features on a sample including first features from a first exposure field on a first sample layer and second features from a second exposure field on a second sample layer, where the second exposure field partially overlaps the first exposure field. The controller may further receive a second metrology dataset associated with a second set of metrology target features including third features from a third exposure field on the second layer that overlaps the first exposure field and fourth features formed from a fourth exposure field on the first layer of the sample that overlaps the second exposure field. 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A metrology system may include a controller to receive a first metrology dataset associated with a first set of metrology target features on a sample including first features from a first exposure field on a first sample layer and second features from a second exposure field on a second sample layer, where the second exposure field partially overlaps the first exposure field. The controller may further receive a second metrology dataset associated with a second set of metrology target features including third features from a third exposure field on the second layer that overlaps the first exposure field and fourth features formed from a fourth exposure field on the first layer of the sample that overlaps the second exposure field. The controller may further determine fabrication errors based on the first and second metrology datasets and generate correctables to adjust a lithography tool based on the fabrication errors.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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