마이크로 발광다이오드 칩 및 이의 제조 방법, 표시 장치

마이크로 발광다이오드 칩 및 이의 제조 방법, 표시 장치

본 발명은 마이크로 발광다이오드 칩 및 이의 제조 방법, 표시 장치를 공개하되, 이 마이크로 발광다이오드 칩은, 순차적으로 적층되어 설치된 제1 타입 반도체층, 발광층 및 제2 타입 반도체층; 및 상기 발광층의 출광측에 설치된 반사층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 제1 타입 반도체층과 제2 타입 반도체층 사이에 위치하며, 상기 반사층은 상기 발광층이 상기 마이크로 발광다이오드 칩의 가장자리로 발사한 광을 차단한다. 본 발명은 제1 타입 반도체층 상에 고반사율 구조를 가지는 반사층을 설치하여, 발광층이 상기 마이크로 발광다이오드 칩...

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Hauptverfasser: HUANG CHIA HUNG, YANG SHUN KUEI, LIN YA WEN, HUNG MAO CHIA
Format: Patent
Sprache:kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator HUANG CHIA HUNG
YANG SHUN KUEI
LIN YA WEN
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description 본 발명은 마이크로 발광다이오드 칩 및 이의 제조 방법, 표시 장치를 공개하되, 이 마이크로 발광다이오드 칩은, 순차적으로 적층되어 설치된 제1 타입 반도체층, 발광층 및 제2 타입 반도체층; 및 상기 발광층의 출광측에 설치된 반사층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 제1 타입 반도체층과 제2 타입 반도체층 사이에 위치하며, 상기 반사층은 상기 발광층이 상기 마이크로 발광다이오드 칩의 가장자리로 발사한 광을 차단한다. 본 발명은 제1 타입 반도체층 상에 고반사율 구조를 가지는 반사층을 설치하여, 발광층이 상기 마이크로 발광다이오드 칩의 가장자리로 발사한 광을 차단할 수 있음으로써, 광의 발산을 감소시키고, 인접한 2개의 마이크로 발광다이오드 칩의 거리를 줄일 수 있으며, 라이트 크로스 현상이 발생되지 않으므로, 표시 장치의 해상도를 향상시킬 수 있다. Provided are a micro light-emitting diode chip and a manufacturing method therefor, and a display device. The micro light-emitting diode chip comprises: a first-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a second-type semiconductor layer which are sequentially stacked, wherein the light-emitting layer is located between the first-type semiconductor layer and the second-type semiconductor layer; and a reflective layer provided at a light-emitting side of the light-emitting layer, wherein the reflective layer is configured to block light emitted by the light-emitting layer to an edge of the micro light-emitting diode chip.
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Provided are a micro light-emitting diode chip and a manufacturing method therefor, and a display device. The micro light-emitting diode chip comprises: a first-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a second-type semiconductor layer which are sequentially stacked, wherein the light-emitting layer is located between the first-type semiconductor layer and the second-type semiconductor layer; and a reflective layer provided at a light-emitting side of the light-emitting layer, wherein the reflective layer is configured to block light emitted by the light-emitting layer to an edge of the micro light-emitting diode chip.</description><language>kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20210714&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20210088558A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76516</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20210714&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20210088558A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HUANG CHIA HUNG</creatorcontrib><creatorcontrib>YANG SHUN KUEI</creatorcontrib><creatorcontrib>LIN YA WEN</creatorcontrib><creatorcontrib>HUNG MAO CHIA</creatorcontrib><title>마이크로 발광다이오드 칩 및 이의 제조 방법, 표시 장치</title><description>본 발명은 마이크로 발광다이오드 칩 및 이의 제조 방법, 표시 장치를 공개하되, 이 마이크로 발광다이오드 칩은, 순차적으로 적층되어 설치된 제1 타입 반도체층, 발광층 및 제2 타입 반도체층; 및 상기 발광층의 출광측에 설치된 반사층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 제1 타입 반도체층과 제2 타입 반도체층 사이에 위치하며, 상기 반사층은 상기 발광층이 상기 마이크로 발광다이오드 칩의 가장자리로 발사한 광을 차단한다. 본 발명은 제1 타입 반도체층 상에 고반사율 구조를 가지는 반사층을 설치하여, 발광층이 상기 마이크로 발광다이오드 칩의 가장자리로 발사한 광을 차단할 수 있음으로써, 광의 발산을 감소시키고, 인접한 2개의 마이크로 발광다이오드 칩의 거리를 줄일 수 있으며, 라이트 크로스 현상이 발생되지 않으므로, 표시 장치의 해상도를 향상시킬 수 있다. 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