초격자층, LED 에피택셜 구조, 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

본 발명은 발광 다이오드 기술분야에 관한 것으로, 구체적으로는 초격자 구조, LED 에피택셜 구조, 디스플레이 장치 및 그 생산 방법에 관한 것이며, 상기 초격자 구조는, 적어도 두 개의 순차적으로 적층되게 성장하는 초격자 유닛; 각각의 초격자 유닛은 모두 순차적으로 적층되게 성장하는 제1 n형 GaN층, 제2 n형 GaN층, 제1 n형 GaInN층 및 제2 n형 GaInN층을 포함하되; 여기서, 성장 방향에 따른 제1 n형 GaN층의 도핑 농도는 고정되고, 성장 방향에 따른 제2 n형 GaN층의 도핑 농도는 점차적으로 증가하며, 성장 방향에 따른 제1 n형 GaInN층의 도핑 농도는 점차적으로 감소되고, 성장 방향에 따른 제2 n형 GaInN층의 도핑 농도는 고정되며; 본 발명의 에피택셜 구조의 응력은 생산 과정에서 효과적으로 방출될 수 있으므로 응력의 작용에 인한 n형 GaN층과 서브스트레이트 사이의 전위를 감소시킬 수 있어, LED의 발광 성능을 효과적으로 확보한다. This disclosure relates to a superlattice structure, an LED epitaxial structure, a display device, and a method for manufacturing the LED epitaxial structure. The superlattice structure includes at least two superlattice units which are grown in stacking layers. Each of the at least two superlattice units includes a first n-type GaN layer, a second n-type GaN layer, a first n-type GaInN layer, and a second n-type GaInN layer which are grown in stacking layers. The first n-type GaN layer has a doping concentration which is constant along a growth direction, the second n-type GaN layer has a doping concentration which gradually increases along the growth direction, the first n-type GaInN layer has a doping concentration which gradually decreases along the growth direction, and the second n-type GaInN layer has a doping concentration which is constant along the growth direction.