Image sensor and method of forming the same

The present invention relates to an image sensor, and more particularly, to a substrate having first and second surfaces opposite to each other. The substrate includes unit pixels having a photoelectric conversion region. A semiconductor pattern is disposed in a first trench defining the unit pixels. The semiconductor pattern comprise a first semiconductor layer provided on the inner wall of the first trench and a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer, and a first contact provided on the second surface and connected to the semiconductor pattern. The height of the first semiconductor layer from the bottom surface of the first trench may be smaller than the height of the second semiconductor layer from the bottom surface of the first trench. An object of the present invention is to provide an image sensor with improved reliability. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 기판, 상기 기판은 광전 변환 영역을 갖는 단위 화소들을 포함하고; 상기 단위 화소들을 정의하는 제1 트렌치 내에 배치되는 반도체 패턴, 상기 반도체 패턴은 상기 제1 트렌치의 내벽 상에 제공되는 제1 반도체층 및 상기 제1 반도체층 상에 제공되는 제2 반도체층을 포함하고; 및 상기 제2 면 상에 제공되어, 상기 반도체 패턴과 연결되는 제1 콘택을 포함하되, 상기 제1 반도체층의 상기 제1 트렌치의 바닥면으로부터의 높이는 상기 제2 반도체층의 상기 제1 트렌치의 바닥면으로부터의 높이보다 작을 수 있다.