나노쌍정 (NANOTWINNED) 구리 구조체들의 전착 (ELECTRODEPOSITION)
고 밀도의 나노쌍정들을 갖는 구리 구조체가 기판 상에 증착된다. 나노쌍정 구리 구조체를 증착하기 위한 전기 도금 조건들은 정전류와 무 전류 사이에서 교번하는 펄싱된 전류 파형을 인가하는 것을 포함할 수도 있고, 전류가 인가되지 않는 지속 기간은 인가되는 정전류의 지속 기간보다 실질적으로 길다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 펄싱된 전류 파형에 이어 정전류 파형을 인가함으로써 증착된다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 고도로 배향된 베이스 층 상에 증착되고, 전기 도금 용액은 촉진제 첨가제를 함유한다. 일부...
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creator | BANIK II STEPHEN J BUCKALEW BRYAN L NEUMANN ANICA NICOLE OBERST JUSTIN DUA BHUVAN PONNUSWAMY THOMAS ANAND |
description | 고 밀도의 나노쌍정들을 갖는 구리 구조체가 기판 상에 증착된다. 나노쌍정 구리 구조체를 증착하기 위한 전기 도금 조건들은 정전류와 무 전류 사이에서 교번하는 펄싱된 전류 파형을 인가하는 것을 포함할 수도 있고, 전류가 인가되지 않는 지속 기간은 인가되는 정전류의 지속 기간보다 실질적으로 길다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 펄싱된 전류 파형에 이어 정전류 파형을 인가함으로써 증착된다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 고도로 배향된 베이스 층 상에 증착되고, 전기 도금 용액은 촉진제 첨가제를 함유한다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 비-구리 시드 층 상에 증착된다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 상대적으로 저 플로우 레이트로 증착된다.
A copper structure having a high density of nanotwins is deposited on a substrate. Electroplating conditions for depositing a nanotwinned copper structure may include applying a pulsed current waveform that alternates between a constant current and no current, where a duration of no current being applied is substantially greater than a duration of a constant current being applied. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited by applying a pulsed current waveform followed by a constant current waveform. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a highly-oriented base layer, where an electroplating solution contains an accelerator additive. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a non-copper seed layer. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited at a relatively low flow rate. |
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A copper structure having a high density of nanotwins is deposited on a substrate. Electroplating conditions for depositing a nanotwinned copper structure may include applying a pulsed current waveform that alternates between a constant current and no current, where a duration of no current being applied is substantially greater than a duration of a constant current being applied. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited by applying a pulsed current waveform followed by a constant current waveform. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a highly-oriented base layer, where an electroplating solution contains an accelerator additive. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a non-copper seed layer. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited at a relatively low flow rate.</description><language>kor</language><subject>APPARATUS THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROFORMING ; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES ; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES ; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES ; METALLURGY ; NANOTECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210610&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20210069118A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210610&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20210069118A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BANIK II STEPHEN J</creatorcontrib><creatorcontrib>BUCKALEW BRYAN L</creatorcontrib><creatorcontrib>NEUMANN ANICA NICOLE</creatorcontrib><creatorcontrib>OBERST JUSTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>DUA BHUVAN</creatorcontrib><creatorcontrib>PONNUSWAMY THOMAS ANAND</creatorcontrib><title>나노쌍정 (NANOTWINNED) 구리 구조체들의 전착 (ELECTRODEPOSITION)</title><description>고 밀도의 나노쌍정들을 갖는 구리 구조체가 기판 상에 증착된다. 나노쌍정 구리 구조체를 증착하기 위한 전기 도금 조건들은 정전류와 무 전류 사이에서 교번하는 펄싱된 전류 파형을 인가하는 것을 포함할 수도 있고, 전류가 인가되지 않는 지속 기간은 인가되는 정전류의 지속 기간보다 실질적으로 길다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 펄싱된 전류 파형에 이어 정전류 파형을 인가함으로써 증착된다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 고도로 배향된 베이스 층 상에 증착되고, 전기 도금 용액은 촉진제 첨가제를 함유한다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 비-구리 시드 층 상에 증착된다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 상대적으로 저 플로우 레이트로 증착된다.
A copper structure having a high density of nanotwins is deposited on a substrate. Electroplating conditions for depositing a nanotwinned copper structure may include applying a pulsed current waveform that alternates between a constant current and no current, where a duration of no current being applied is substantially greater than a duration of a constant current being applied. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited by applying a pulsed current waveform followed by a constant current waveform. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a highly-oriented base layer, where an electroplating solution contains an accelerator additive. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a non-copper seed layer. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited at a relatively low flow rate.</description><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROFORMING</subject><subject>ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPB53TTjdeuONz29bxZMVdDwc_TzDwn39PNzddFUeLV1zetla0DUm4Ub3mza8nrykjdzZyi8WdDyZsNKBQ1XH1fnkCB_F9cA_2DPEE9_P00eBta0xJziVF4ozc2g7OYa4uyhm1qQH59aXJCYnJqXWhLvHWRkYGRoYGBmaWho4WhMnCoAok8_6w</recordid><startdate>20210610</startdate><enddate>20210610</enddate><creator>BANIK II STEPHEN J</creator><creator>BUCKALEW BRYAN L</creator><creator>NEUMANN ANICA NICOLE</creator><creator>OBERST JUSTIN</creator><creator>DUA BHUVAN</creator><creator>PONNUSWAMY THOMAS ANAND</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20210610</creationdate><title>나노쌍정 (NANOTWINNED) 구리 구조체들의 전착 (ELECTRODEPOSITION)</title><author>BANIK II STEPHEN J ; BUCKALEW BRYAN L ; NEUMANN ANICA NICOLE ; OBERST JUSTIN ; DUA BHUVAN ; PONNUSWAMY THOMAS ANAND</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20210069118A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2021</creationdate><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTROFORMING</topic><topic>ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTIONOF COATINGS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BANIK II STEPHEN J</creatorcontrib><creatorcontrib>BUCKALEW BRYAN L</creatorcontrib><creatorcontrib>NEUMANN ANICA NICOLE</creatorcontrib><creatorcontrib>OBERST JUSTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>DUA BHUVAN</creatorcontrib><creatorcontrib>PONNUSWAMY THOMAS ANAND</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BANIK II STEPHEN J</au><au>BUCKALEW BRYAN L</au><au>NEUMANN ANICA NICOLE</au><au>OBERST JUSTIN</au><au>DUA BHUVAN</au><au>PONNUSWAMY THOMAS ANAND</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>나노쌍정 (NANOTWINNED) 구리 구조체들의 전착 (ELECTRODEPOSITION)</title><date>2021-06-10</date><risdate>2021</risdate><abstract>고 밀도의 나노쌍정들을 갖는 구리 구조체가 기판 상에 증착된다. 나노쌍정 구리 구조체를 증착하기 위한 전기 도금 조건들은 정전류와 무 전류 사이에서 교번하는 펄싱된 전류 파형을 인가하는 것을 포함할 수도 있고, 전류가 인가되지 않는 지속 기간은 인가되는 정전류의 지속 기간보다 실질적으로 길다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 펄싱된 전류 파형에 이어 정전류 파형을 인가함으로써 증착된다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 고도로 배향된 베이스 층 상에 증착되고, 전기 도금 용액은 촉진제 첨가제를 함유한다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 비-구리 시드 층 상에 증착된다. 일부 구현 예들에서, 나노쌍정 구리 구조체는 상대적으로 저 플로우 레이트로 증착된다.
A copper structure having a high density of nanotwins is deposited on a substrate. Electroplating conditions for depositing a nanotwinned copper structure may include applying a pulsed current waveform that alternates between a constant current and no current, where a duration of no current being applied is substantially greater than a duration of a constant current being applied. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited by applying a pulsed current waveform followed by a constant current waveform. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a highly-oriented base layer, where an electroplating solution contains an accelerator additive. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a non-copper seed layer. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited at a relatively low flow rate.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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