초전도체 상호접속 구조 제조를 위한 전세정 및 유전층 적층 방법

초전도 소자 상호접속 구조를 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법은 기판을 덮는 제1 유전층을 형성하는 단계와 이 제1 유전층 내에 초전도 상호접속 구조를 형성하는 단계를 포함한다. 초전도 상호접속 부재는 제1 유전층의 상면과 정렬되는 상면을 포함하여 제1 상호접속층을 형성한다. 초전도 소자 상호접속 구조는 유전층 적층 챔버로 이송된다, 방법은 유전층 적층 챔버 내에서 제1 상호접속층의 상면에 세정 공정을 수행하여 제1 상호접속층의 상면으로부터 산화물을 제거하는 단계와, 유전층 적층 챔버 내에서 제1 상호접속층 상에 제2 유전층을 적층하는 단계를 더 포함한다. A method is provided of forming a superconductor device interconnect structure. The method comprises forming a first dielectric layer overlying a substrate and forming a superconducting interconnect element in the first dielectric layer. The superconducting interconnect element includes a top surface aligned with a top surface of the first dielectric layer to form a first interconnect layer. The superconductor device interconnect structure is moved into a dielectric deposition chamber. The method further comprises performing a cleaning process on a top surface of the first interconnect layer in the dielectric deposition chamber to remove oxidization from a top surface of the first interconnect layer, and depositing a second dielectric layer over the first interconnect layer in the dielectric deposition chamber.