반도체 장치의 제조 방법 및 에칭 가스
[과제] 막을 적합하게 에칭할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 에칭 가스를 제공한다. [해결수단] 하나의 실시 형태에 의하면, 반도체 장치의 제조 방법은 CxHyFz(C는 탄소, H는 수소, F는 불소를 나타내고, x는 3 이상의 정수를 나타내며, 또한 y 및 z는 각각 1 이상의 정수를 나타냄)로 표시되는 쇄상 탄화수소 화합물을 포함하는 에칭 가스를 사용하여 막을 에칭하는 것을 포함한다. 또한, 상기 CxHyFz의 탄소쇄 상의 각 말단의 탄소 원자는, 수소 원자 및 불소 원자 중 불소 원자와만 결합하고 있는 쇄상 탄화수소 화...
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| creator | SASAKI TOSHIYUKI ISHINO TAKAYA SHIMODA MITSUHARU SHIMIZU HISASHI |
| description | [과제] 막을 적합하게 에칭할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 에칭 가스를 제공한다. [해결수단] 하나의 실시 형태에 의하면, 반도체 장치의 제조 방법은 CxHyFz(C는 탄소, H는 수소, F는 불소를 나타내고, x는 3 이상의 정수를 나타내며, 또한 y 및 z는 각각 1 이상의 정수를 나타냄)로 표시되는 쇄상 탄화수소 화합물을 포함하는 에칭 가스를 사용하여 막을 에칭하는 것을 포함한다. 또한, 상기 CxHyFz의 탄소쇄 상의 각 말단의 탄소 원자는, 수소 원자 및 불소 원자 중 불소 원자와만 결합하고 있는 쇄상 탄화수소 화합물이다.
In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes etching a film with etching gas that includes a chain hydrocarbon compound expressed as CxHyFz where C, H and F respectively denote carbon, hydrogen and fluorine, "x" denotes an integer of three or more, and "y" and "z" respectively denote integers of one or more. Furthermore, the CxHyFz is the chain hydrocarbon compound in which each of terminal carbon atoms on a carbon chain of the chain hydrocarbon compound is bonded only to fluorine atoms out of hydrogen and fluorine atoms. |
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In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes etching a film with etching gas that includes a chain hydrocarbon compound expressed as CxHyFz where C, H and F respectively denote carbon, hydrogen and fluorine, "x" denotes an integer of three or more, and "y" and "z" respectively denote integers of one or more. Furthermore, the CxHyFz is the chain hydrocarbon compound in which each of terminal carbon atoms on a carbon chain of the chain hydrocarbon compound is bonded only to fluorine atoms out of hydrogen and fluorine atoms.</description><language>kor</language><subject>ADHESIVES ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; DYES ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE ; METALLURGY ; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS ; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS ; NATURAL RESINS ; PAINTS ; POLISHES ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210512&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20210053905A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20210512&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20210053905A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SASAKI TOSHIYUKI</creatorcontrib><creatorcontrib>ISHINO TAKAYA</creatorcontrib><creatorcontrib>SHIMODA MITSUHARU</creatorcontrib><creatorcontrib>SHIMIZU HISASHI</creatorcontrib><title>반도체 장치의 제조 방법 및 에칭 가스</title><description>[과제] 막을 적합하게 에칭할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 에칭 가스를 제공한다. [해결수단] 하나의 실시 형태에 의하면, 반도체 장치의 제조 방법은 CxHyFz(C는 탄소, H는 수소, F는 불소를 나타내고, x는 3 이상의 정수를 나타내며, 또한 y 및 z는 각각 1 이상의 정수를 나타냄)로 표시되는 쇄상 탄화수소 화합물을 포함하는 에칭 가스를 사용하여 막을 에칭하는 것을 포함한다. 또한, 상기 CxHyFz의 탄소쇄 상의 각 말단의 탄소 원자는, 수소 원자 및 불소 원자 중 불소 원자와만 결합하고 있는 쇄상 탄화수소 화합물이다.
In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes etching a film with etching gas that includes a chain hydrocarbon compound expressed as CxHyFz where C, H and F respectively denote carbon, hydrogen and fluorine, "x" denotes an integer of three or more, and "y" and "z" respectively denote integers of one or more. Furthermore, the CxHyFz is the chain hydrocarbon compound in which each of terminal carbon atoms on a carbon chain of the chain hydrocarbon compound is bonded only to fluorine atoms out of hydrogen and fluorine atoms.</description><subject>ADHESIVES</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>DYES</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</subject><subject>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</subject><subject>NATURAL RESINS</subject><subject>PAINTS</subject><subject>POLISHES</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDB-vWHG6_6WN5u2KLyZt_TNzhlv5s5QeLNgzpuFGxReb1j5etNUINWv8Gb6hDc71yq82tDwpmsJDwNrWmJOcSovlOZmUHZzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2J9w4yMjAyNDAwNbY0MHU0Jk4VAECyO1o</recordid><startdate>20210512</startdate><enddate>20210512</enddate><creator>SASAKI TOSHIYUKI</creator><creator>ISHINO TAKAYA</creator><creator>SHIMODA MITSUHARU</creator><creator>SHIMIZU HISASHI</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20210512</creationdate><title>반도체 장치의 제조 방법 및 에칭 가스</title><author>SASAKI TOSHIYUKI ; ISHINO TAKAYA ; SHIMODA MITSUHARU ; SHIMIZU HISASHI</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20210053905A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2021</creationdate><topic>ADHESIVES</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>DYES</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</topic><topic>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</topic><topic>NATURAL RESINS</topic><topic>PAINTS</topic><topic>POLISHES</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SASAKI TOSHIYUKI</creatorcontrib><creatorcontrib>ISHINO TAKAYA</creatorcontrib><creatorcontrib>SHIMODA MITSUHARU</creatorcontrib><creatorcontrib>SHIMIZU HISASHI</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SASAKI TOSHIYUKI</au><au>ISHINO TAKAYA</au><au>SHIMODA MITSUHARU</au><au>SHIMIZU HISASHI</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>반도체 장치의 제조 방법 및 에칭 가스</title><date>2021-05-12</date><risdate>2021</risdate><abstract>[과제] 막을 적합하게 에칭할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 에칭 가스를 제공한다. [해결수단] 하나의 실시 형태에 의하면, 반도체 장치의 제조 방법은 CxHyFz(C는 탄소, H는 수소, F는 불소를 나타내고, x는 3 이상의 정수를 나타내며, 또한 y 및 z는 각각 1 이상의 정수를 나타냄)로 표시되는 쇄상 탄화수소 화합물을 포함하는 에칭 가스를 사용하여 막을 에칭하는 것을 포함한다. 또한, 상기 CxHyFz의 탄소쇄 상의 각 말단의 탄소 원자는, 수소 원자 및 불소 원자 중 불소 원자와만 결합하고 있는 쇄상 탄화수소 화합물이다.
In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes etching a film with etching gas that includes a chain hydrocarbon compound expressed as CxHyFz where C, H and F respectively denote carbon, hydrogen and fluorine, "x" denotes an integer of three or more, and "y" and "z" respectively denote integers of one or more. Furthermore, the CxHyFz is the chain hydrocarbon compound in which each of terminal carbon atoms on a carbon chain of the chain hydrocarbon compound is bonded only to fluorine atoms out of hydrogen and fluorine atoms.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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