칼코게나이드 재료들의 컨포멀한 손상-프리 캡슐화

반도체 기판 상의 칼코게나이드 재료 위에 캡슐화 이중층을 형성하기 위한 방법들 및 장치들이 제공된다. 방법들은 칼코게나이드 재료 직상에 PP-PECVD (pulsed plasma-enhanced chemical vapor deposition) 를 사용하여 증착된 배리어 층 및 PEALD (plasma-enhanced atomic layer deposition) 를 사용하여 증착된 배리어 층 위에 캡슐화 층을 포함하는 이중층을 형성하는 것을 수반한다. 다양한 실시 예들에서, 배리어 층은 할로겐-프리 실리콘 전구체를 사용하여 형성되고 PEALD에 의해 증착된 캡슐화 층은 할로겐-함유 실리콘 전구체 및 수소-프리 질소-함유 반응물질을 사용하여 형성된다. Methods and apparatuses for forming an encapsulation bilayer over a chalcogenide material on a semiconductor substrate are provided. Methods involve forming a bilayer including a barrier layer directly on chalcogenide material deposited using pulsed plasma plasma-enhanced chemical vapor deposition (PP-PECVD) and an encapsulation layer over the barrier layer deposited using plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD). In various embodiments, the barrier layer is formed using a halogen-free silicon precursor and the encapsulation layer deposited by PEALD is formed using a halogen-containing silicon precursor and a hydrogen-free nitrogen-containing reactant.