Sense Amplifier Driving Device
According to an embodiment of the present invention, provided is a sense amplifier driving device, in a semiconductor memory device, which comprises: a memory cell; a precharge element including a sense amplifier connected to the memory cell through a bit line and configured to detect and amplify a...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | According to an embodiment of the present invention, provided is a sense amplifier driving device, in a semiconductor memory device, which comprises: a memory cell; a precharge element including a sense amplifier connected to the memory cell through a bit line and configured to detect and amplify a signal of the bit line, wherein the sense amplifier receives a first control signal and is turned on or turned off according to read control voltage; and a transistor output unit outputting output voltage according to the signal of the bit line when the precharge element is turned off.
발명의 실시예에 따른 센스 앰프 구동 장치는 반도체 메모리 장치에 있어서, 메모리 셀; 및 상기 메모리 셀과 비트라인을 통해 연결되고, 상기 비트라인의 신호를 검출하여 증폭시키는 센스 앰프를 포함하고, 상기 센스 앰프는 제1 제어 신호를 입력받으며, 읽기 컨트롤 전압에 따라 턴-온 또는 턴-오프되는 프리차지 소자; 및 상기 프리차지 소자가 턴-오프일때 상기 비트라인의 신호에 따라 출력 전압을 출력하는 트랜지스터 출력부를 포함한다. |
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