Photodiode with antireflective and high conductive metal-semiconductor structure Method for manufacturing the same and Solar cell compring the same

According to the present invention, provided are a photodiode using a metal-semiconductor structure which maintains photodiode characteristics thereof even after metal catalytic chemical etching, and has low-reflection and high-conductivity characteristics, a method for manufacturing the same, and a solar cell using the same. The photodiode of the present invention comprises: a semiconductor substrate having a low-reflective, high-conductivity surface having an electrode forming region to be selectively etched; and a high-conductivity electrode in which a metal catalyst used in a metal catalyst chemical etching process for forming an anti-reflection structure semiconductor substrate is positioned in an etched region of the anti-reflection structure semiconductor substrate. The photodiode of the present invention further comprises: a semiconductor substrate including an electrode forming region to be selectively etched and a light absorption region having a relatively protruding shape as compared to the electrode forming region; and an electrode including a metal catalyst layer positioned on the electrode forming region of the semiconductor substrate through chemical etching of the semiconductor substrate, and allowing a surface of the electrode forming region to have electrical conductivity. 본 발명은 금속촉매 화학식각 이후에도 포토다이오드 특성은 유지되며, 저반사, 고전도성의 특성을 갖는 금속-반도체 구조를 이용한 포토 다이오드, 그 제조 방법 및 이를 이용한 태양 전지를 제공한다. 본 발명의 포토 다이오드는, 선택적으로 식각되는 전극 형성 영역을 갖는 저반사 고전도성 표면을 갖는 반도체 기판;반사방지 구조 반도체 기판을 형성하기 위한 금속촉매화학식각 공정에서 사용된 금속촉매가 반사방지 구조 반도체 기판의 식각 영역에 위치하여 형성되는 고전도 전극;을 포함하는 것이다.선택적으로 식각되는 전극 형성 영역과, 상기 전극 형성 영역에 비하여 상대적으로 돌출된 형상의 광흡수 영역을 포함하는 반도체 기판; 및 상기 반도체 기판에 대한 화학적 식각을 통해 상기 반도체 기판의 전극 형성 영역 위에 위치하는 금속 촉매층을 포함하며, 상기 전극 형성 영역의 표면이 전기 전도성을 갖도록 하는 전극을 포함한다.