규소 함유층 형성 조성물 및 그것을 이용한 패턴을 가지는 기판의 제조 방법

다층 레지스트법에 있어서의 노광 시의 반사 방지 기능을 가지고, 드라이 에칭 시에 불소계 가스의 플라즈마에 대해서는 에칭 속도가 빠르며, 산소계 가스의 플라즈마에 대해서는 느린 규소 함유층을 형성하기 위한 규소 함유층 형성 조성물을 제공한다. 식(1)로 나타내어지는 구조 단위를 포함하는 폴리실록산 화합물(A)와, 용제(B)를 포함하는, 규소 함유층 형성 조성물. [(R1)bR2mSiOn/2n/2] (1) [식 중, R1은 하기 식으로 나타내어지는 기이다. [화학식 21] JPEGpct00022.jpg33146 (a는 1∼5의 정수이다. 파선은 교차하는 선분이 결합손인 것을 나타낸다.) R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기, 페닐기, 히드록시기, 탄소수 1 이상 3 이하의 알콕시기 또는 탄소수 1 이상 3 이하의 플루오로알킬기이고, b는 1∼3의 정수, m은 0∼2의 정수, n은 1∼3의 정수이며, b+m+n=4이다.] Provided is a silicon-containing layer forming composition for forming a silicon-containing layer which exhibits an anti-reflective function during exposure in a multilayer resist process and, during dry etching, shows a high etching rate against a plasma of fluorine-based gas and a low etching rate against a plasma of oxygen-based gas. The silicon-containing layer forming composition includes a polysiloxane compound having a structural unit of the formula: [(R1)bR2mSiOn/2] and a solvent. In the formula, R1 is a group represented by the following formula:(where a is an integer of 1 to 5; and a wavy line means that a line which the wavy line intersects is a bond); R2 is each independently a hydrogen atom, a C1-C3 alkyl group, a phenyl group, a hydroxy group, a C1-C3 alkoxy group or a C1-C3 fluoroalkyl group; b is an integer of 1 to 3; m is an integer of 0 to 2; n is an integer of 1 to 3; and a relationship of b+m+n=4 is satisfied.