커패시터, 커패시터 제조 방법 및 반도체 장치

커패시터 및 그의 제조 방법, 반도체 장치에 관한 것이다. 해당 커패시터는 상부 전극(21), 하부 전극(22) 및 유전체층(23)을 포함하며, 상기 유전체층(23)은 상기 상부 전극(21)과 상기 하부 전극(22) 사이에 설치되고, 상기 상부 전극(21)과 상기 하부 전극(22)은 각각 한 층의 금속층을 포함하되, 상부 전극(21)의 금속층과 하부 전극(22)의 금속층은 재질이 동일하다. 해당 커패시터는 구조가 간단하여 제조 공정 프로세스를 간소화할 수 있고, 이송 과정에서 기판이 공기에 노출되는 횟수를 감소시킬 수 있어 박막 표면의 오염을 어느 정도 감소할 수 있다. A capacitor and a manufacturing method thereof, and semiconductor equipment. The capacitor comprises an upper electrode (21), a lower electrode (22), and a dielectric layer (23) provided between the upper electrode (21) and the lower electrode (22). Each of the upper electrode (21) and the lower electrode (22) comprises a metal layer. The metal layers of the upper electrode (21) and the lower electrode (22) are made of the same material. The capacitor has a simple structure, such that a manufacturing process can be simplified. Moreover, the number of times a substrate is exposed to the air in a transport process can be reduced, thereby reducing contamination of a film surface to a certain extent.