패터닝 페이스트

금속 나노와이어를 패터닝하기 위한 패터닝 페이스트가 개시되며, 패터닝 페이스트는 구아니딘 티오시아네이트를 함유하는 착화제를 포함한다. 금속 나노와이어를 갖는 기판을 선택적으로 패터닝하는 방법은 하기의 단계를 포함한다: 금속 나노와이어를 함유하는 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계; 및 금속 나노와이어가 선택적으로 패턴으로 절단되도록 패터닝 페이스트를 기판에 선택적으로 도포하는 단계. 소비자 전자 제품은 하기 제품을 포함한다: 금속 나노와이어를 함유하는 표면을 갖는 기판. 기판의 금속 나노와이어는 금속 나노와이어가 패턴으로 선택적으로...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DEBERRY SHAWN R, CHEETHAM PAUL F
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES METALLURGY MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25 NANOTECHNOLOGY NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE PERFORMING OPERATIONS PRINTED CIRCUITS SEMICONDUCTOR DEVICES SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES TRANSPORTING
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