미세 패턴의 제조방법 및 이를 사용하는 디스플레이 디바이스의 제조방법
[과제] 본 발명은, 액정 디스플레이 디바이스 제조 분야에서 사용하기에 적합한, 한계 해상도 미만의 레지스트 패턴을 효과적으로 제조하는 방법을 제공한다. 구체적으로는, 본 발명은 테이퍼 형상을 갖는 패턴 형상을 유지하면서 한계 해상도 미만의 고정세 패턴을 정밀하게 제조하는 방법을 제공한다. [해결 수단] 알칼리 용해 속도가 100 내지 3,000Å인 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 조성물을 기판 상에 코팅하여 레지스트 조성물 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 조성물 층을 노광하는 단계; 상기 레지스트 조성물 층을 현상하여 레지스트...
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| creator | IKEDA HIROKAZU SUZUKI TAKAHIDE NONAKA TOSHIAKI TOYAMA YOSHISUKE |
| description | [과제] 본 발명은, 액정 디스플레이 디바이스 제조 분야에서 사용하기에 적합한, 한계 해상도 미만의 레지스트 패턴을 효과적으로 제조하는 방법을 제공한다. 구체적으로는, 본 발명은 테이퍼 형상을 갖는 패턴 형상을 유지하면서 한계 해상도 미만의 고정세 패턴을 정밀하게 제조하는 방법을 제공한다. [해결 수단] 알칼리 용해 속도가 100 내지 3,000Å인 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 조성물을 기판 상에 코팅하여 레지스트 조성물 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 조성물 층을 노광하는 단계; 상기 레지스트 조성물 층을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴을 플러드 노광하는 단계; 미세 패턴 형성 조성물을 상기 레지스트 패턴의 표면에 코팅하여, 미세 패턴 형성 조성물 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴 및 상기 미세 패턴 형성 조성물 층을 가열하여, 상기 레지스트 패턴에 근접하는 상기 미세 패턴 형성 조성물 층 영역을 경화시켜 불용화 층을 형성하는 단계; 및 상기 미세 패턴 형성 조성물 층의 미경화 영역을 제거하는 단계를 포함하는, 미세 패턴의 제조방법의 제공.
A method of manufacturing a fine pattern using the following steps of:(1) coating a resist composition containing a novolak resin having an alkali dissolution rate of 100 to 3,000 Å on a substrate to form a resist composition layer;(2) subjecting said resist composition layer to exposure;(3) developing said resist composition layer to form a resist pattern;(4) subjecting said resist pattern to flood exposure;(5) coating a fine pattern forming composition on the surface of said resist pattern to form a fine pattern forming composition layer;(6) heating said resist pattern and said fine pattern forming composition layer to cure the regions of said fine pattern forming composition layer in the vicinity of said resist pattern and to form an insolubilized layer; and(7) removing uncured regions of said fine pattern forming composition layer. |
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A method of manufacturing a fine pattern using the following steps of:(1) coating a resist composition containing a novolak resin having an alkali dissolution rate of 100 to 3,000 Å on a substrate to form a resist composition layer;(2) subjecting said resist composition layer to exposure;(3) developing said resist composition layer to form a resist pattern;(4) subjecting said resist pattern to flood exposure;(5) coating a fine pattern forming composition on the surface of said resist pattern to form a fine pattern forming composition layer;(6) heating said resist pattern and said fine pattern forming composition layer to cure the regions of said fine pattern forming composition layer in the vicinity of said resist pattern and to form an insolubilized layer; and(7) removing uncured regions of said fine pattern forming composition layer.</description><language>kor</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200617&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20200070353A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200617&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20200070353A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>IKEDA HIROKAZU</creatorcontrib><creatorcontrib>SUZUKI TAKAHIDE</creatorcontrib><creatorcontrib>NONAKA TOSHIAKI</creatorcontrib><creatorcontrib>TOYAMA YOSHISUKE</creatorcontrib><title>미세 패턴의 제조방법 및 이를 사용하는 디스플레이 디바이스의 제조방법</title><description>[과제] 본 발명은, 액정 디스플레이 디바이스 제조 분야에서 사용하기에 적합한, 한계 해상도 미만의 레지스트 패턴을 효과적으로 제조하는 방법을 제공한다. 구체적으로는, 본 발명은 테이퍼 형상을 갖는 패턴 형상을 유지하면서 한계 해상도 미만의 고정세 패턴을 정밀하게 제조하는 방법을 제공한다. [해결 수단] 알칼리 용해 속도가 100 내지 3,000Å인 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 조성물을 기판 상에 코팅하여 레지스트 조성물 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 조성물 층을 노광하는 단계; 상기 레지스트 조성물 층을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴을 플러드 노광하는 단계; 미세 패턴 형성 조성물을 상기 레지스트 패턴의 표면에 코팅하여, 미세 패턴 형성 조성물 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴 및 상기 미세 패턴 형성 조성물 층을 가열하여, 상기 레지스트 패턴에 근접하는 상기 미세 패턴 형성 조성물 층 영역을 경화시켜 불용화 층을 형성하는 단계; 및 상기 미세 패턴 형성 조성물 층의 미경화 영역을 제거하는 단계를 포함하는, 미세 패턴의 제조방법의 제공.
A method of manufacturing a fine pattern using the following steps of:(1) coating a resist composition containing a novolak resin having an alkali dissolution rate of 100 to 3,000 Å on a substrate to form a resist composition layer;(2) subjecting said resist composition layer to exposure;(3) developing said resist composition layer to form a resist pattern;(4) subjecting said resist pattern to flood exposure;(5) coating a fine pattern forming composition on the surface of said resist pattern to form a fine pattern forming composition layer;(6) heating said resist pattern and said fine pattern forming composition layer to cure the regions of said fine pattern forming composition layer in the vicinity of said resist pattern and to form an insolubilized layer; and(7) removing uncured regions of said fine pattern forming composition layer.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZEh6vX7Hm5YdCm97Vrxt2fJm7gyFNwvmvFm44fWGla83TVV4vaFf4c3cLa-X7lF407TmzayVb6fOeN01ReH1lClvupa8ndLzekEHUB7Ef71hCpAFFEU3hIeBNS0xpziVF0pzMyi7uYY4e-imFuTHpxYXJCan5qWWxHsHGRkYGRgYmBsYmxo7GhOnCgBa-FwL</recordid><startdate>20200617</startdate><enddate>20200617</enddate><creator>IKEDA HIROKAZU</creator><creator>SUZUKI TAKAHIDE</creator><creator>NONAKA TOSHIAKI</creator><creator>TOYAMA YOSHISUKE</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200617</creationdate><title>미세 패턴의 제조방법 및 이를 사용하는 디스플레이 디바이스의 제조방법</title><author>IKEDA HIROKAZU ; SUZUKI TAKAHIDE ; NONAKA TOSHIAKI ; TOYAMA YOSHISUKE</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20200070353A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2020</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>IKEDA HIROKAZU</creatorcontrib><creatorcontrib>SUZUKI TAKAHIDE</creatorcontrib><creatorcontrib>NONAKA TOSHIAKI</creatorcontrib><creatorcontrib>TOYAMA YOSHISUKE</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>IKEDA HIROKAZU</au><au>SUZUKI TAKAHIDE</au><au>NONAKA TOSHIAKI</au><au>TOYAMA YOSHISUKE</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>미세 패턴의 제조방법 및 이를 사용하는 디스플레이 디바이스의 제조방법</title><date>2020-06-17</date><risdate>2020</risdate><abstract>[과제] 본 발명은, 액정 디스플레이 디바이스 제조 분야에서 사용하기에 적합한, 한계 해상도 미만의 레지스트 패턴을 효과적으로 제조하는 방법을 제공한다. 구체적으로는, 본 발명은 테이퍼 형상을 갖는 패턴 형상을 유지하면서 한계 해상도 미만의 고정세 패턴을 정밀하게 제조하는 방법을 제공한다. [해결 수단] 알칼리 용해 속도가 100 내지 3,000Å인 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 조성물을 기판 상에 코팅하여 레지스트 조성물 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 조성물 층을 노광하는 단계; 상기 레지스트 조성물 층을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴을 플러드 노광하는 단계; 미세 패턴 형성 조성물을 상기 레지스트 패턴의 표면에 코팅하여, 미세 패턴 형성 조성물 층을 형성하는 단계; 상기 레지스트 패턴 및 상기 미세 패턴 형성 조성물 층을 가열하여, 상기 레지스트 패턴에 근접하는 상기 미세 패턴 형성 조성물 층 영역을 경화시켜 불용화 층을 형성하는 단계; 및 상기 미세 패턴 형성 조성물 층의 미경화 영역을 제거하는 단계를 포함하는, 미세 패턴의 제조방법의 제공.
A method of manufacturing a fine pattern using the following steps of:(1) coating a resist composition containing a novolak resin having an alkali dissolution rate of 100 to 3,000 Å on a substrate to form a resist composition layer;(2) subjecting said resist composition layer to exposure;(3) developing said resist composition layer to form a resist pattern;(4) subjecting said resist pattern to flood exposure;(5) coating a fine pattern forming composition on the surface of said resist pattern to form a fine pattern forming composition layer;(6) heating said resist pattern and said fine pattern forming composition layer to cure the regions of said fine pattern forming composition layer in the vicinity of said resist pattern and to form an insolubilized layer; and(7) removing uncured regions of said fine pattern forming composition layer.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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