METHOD OF THIN LAYER DEPOSITION USING CONTROLLED ELECTRON AND ION

The present invention relates to a method for depositing a thin film using electron and ion control. A method for depositing a thin film according to one embodiment comprises a deposition cycle comprising: a step of supplying a precursor to a chamber, in which a structure is loaded, to expose the precursor on the structure; a step of purging the precursor from the chamber; a step of supplying reaction plasma to the chamber while bias is applied to the structure; and a step of purging the reaction plasma from the chamber, wherein the step of supplying the reaction plasma controls the behavior of at least one of electrons and ions generated from the reaction plasma through the bias applied to the structure in the direction of the structure. According to the present invention, reactivity can be improved by removing ligands of the precursor. 전자 및 이온 조절을 이용한 박막 증착 방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 박막 증착 방법은 구조체가 로딩된 챔버에 전구체를 공급하여, 구조체 상에서 전구체를 노출시키는 단계와, 챔버에서 전구체를 퍼지시키는 단계와, 구조체에 바이어스를 인가한 상태에서 챔버에 반응 플라즈마를 공급하는 단계 및 챔버에서 반응 플라즈마를 퍼지시키는 단계로 구성되는 증착 사이클을 포함하고, 반응 플라즈마를 공급하는 단계는 구조체에 인가된 바이어스를 통해 반응 플라즈마로부터 생성되는 전자 및 이온 중 적어도 하나의 거동을 구조체의 방향으로 제어할 수 있다.