SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

기판 상에 형성되며, 패터닝된 실리콘 함유층의 측벽부를 질화실리콘층 또는 산화실리콘층으로 덮도록 질화실리콘층 또는 산화실리콘층을 형성하는 성막 공정과, 실리콘 함유층을 선택적으로 제거하여, 측벽부에 형성된 질화실리콘층 또는 산화실리콘층을 남기는 플라즈마 에칭 공정을 포함한 반도체 장치의 제조 방법으로서, 플라즈마 에칭 공정에서는, SF가스를 포함하는 에칭 가스를 이용한다. This semiconductor device manufacturing method is provided with: a film-forming step wherein a silicon nitride layer or a silicon oxide layer is formed such that a side wall portion of a silicon-containing layer, which is formed on a substrate and patterned, is covered with the silicon nitride layer or the silicon oxide layer; and a plasma etching step wherein the silicon-containing layer is selectively removed, and the silicon nitride layer or the silicon oxide layer formed on the side wall portion is left. In the plasma etching step, an etching gas containing SF6 gas is used.