SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME

According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device includes an n- type layer positioned on a first surface of a substrate, a p- type region and a p+ type region positioned in an upper part of the n- type layer, a first electrode positioned on the p- type region and the p+ type region, and a second electrode positioned on a second surface of the substrate. The first electrode includes a first metal layer positioned on the p- type region and a second metal layer position on the first metal layer. The first metal layer is in continuous contact with the p- type region. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 기판의 제1면에 위치하는 n- 형층, 상기 n- 형층의 상부에 위치하는 p- 형 영역 및 p+ 형 영역, 상기 p- 형 영역 및 상기 p+ 형 영역 위에 위치하는 제1 전극, 그리고 상기 기판의 제2면에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 p- 형 영역 위에 위치하는 제1 금속층 및 상기 제1 금속층 위에 위치하는 제2 금속층을 포함하고, 상기 제1 금속층은 상기 p- 형 영역과 연속적으로 접촉한다.