SRAM CELL FOR GENERATING TRUE RANDOM NUMBER AND SRAM CELL ARRY DRIVING CIRCUIT USING THE SAME

The present invention relates to a technique capable of the generation a true random number of a natural state by using static noise margin characteristics and read noise margin characteristics of a static random access memory (SRAM). A first aspect of the present invention is to reduce a noise margin by forming first and second NMOS transistors constituting a latch to be smaller than or equal to a size of each of first and second access NMOS transistors. A second aspect of the present invention is to reduce the noise margin by setting a voltage between a first node of a first inverter and a second node of a second inverter constituting the latch to an intermediate level between an internal power supply voltage and a ground voltage. 본 발명은 에스램(SRAM)의 스태틱 노이즈 마진(Static Noise Margin) 특성과 리드 노이즈 마진(Read Noise Margin) 특성을 이용하여 자연상태의 진난수를 발생할 수 있도록 한 기술에 관한 것이다. 본 발명은 래치를 구성하는 제1,2엔모스 트랜지스터 각각의 사이즈를 제1,2억세스용 엔모스 트랜지스터 각각의 사이즈보다 작거나 같게 형성하여 노이즈 마진을 줄인 것을 제1특징으로 한다. 본 발명은 래치를 구성하는 제1인버터의 제1노드와 제2인버터의 제2노드의 전압을 내부전원전압과 그라운드 전압의 중간 레벨로 설정하여 노이즈 마진을 줄인 것을 제2특징으로 한다.