플라즈마 처리 장치

본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 내부 공간이 감압 가능하고, 상기 내부 공간에서 피처리체에 대해 플라즈마 처리되도록 구성된 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되어, 상기 피처리체를 재치하기 위한 제1 전극과, 상기 제1 전극에 대해, 부 전위의 바이어스 전압을 인가하는 제1 전원과, 상기 챔버 외부에 배치되어, 상기 챔버의 상부 덮개를 사이에 두고, 상기 제1 전극과 대향하여 배치된 나선 형상의 제2 전극과, 상기 제2 전극에 대해, 고주파의 전압을 인가하는 제2 전극과, 상기 챔버 내부에 프로세스 가스를 도입하는 가스 도입 장치와, 상기 챔버 내부를 감압하는 배기 장치를 갖춘다. 상기 제1 전극과 상기 피처리체의 사이에, 공간을 만들어내는 형상을 갖춘 플레이트부와, 상기 플레이트부를 덮도록 마련된 커버부가, 순서대로 포개어 배치되어 있다. A plasma processing apparatus of the invention includes: a chamber that has an internal space able to be depressurized and is configured such that a processing object is subjected to plasma treatment in the internal space; a first electrode that is disposed in the chamber and on which the processing object is to be mounted; a first power supply that applies a bias voltage of negative potential to the first electrode; a spiral shaped second electrode that is disposed outside the chamber and is disposed so as to face the first electrode with an upper lid of the chamber interposed therebetween; a second electrode that applies a high-frequency voltage to the second electrode. A plate having a shape forming a space and a cover provided to cover the plate are stacked in order and disposed between the first electrode and the processing object.