열처리 장치, 열처리 방법, 레이저 어닐 장치, 및, 레이저 어닐 방법

열처리 장치는, 레이저를 발진시키는 레이저 발진기(1)와, 레이저 발진기(1)로부터 발진된 레이저를 피처리물(5)에 조사시키는 1개 이상의 광학계(2)와, 피처리물(5)을 탑재시키는 회전대(3)를 구비하고, 레이저의 1회의 조사에 의한 피처리물(5)의 활성화율이 목표치에 도달하는 피처리물(5)의 도달 온도를 제 1 온도로 하면, 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도를 피처리물(5)의 도달 온도의 목표치로 설정하고, 광학계(2)로부터 피처리물(5)에 대하여 레이저의 조사를 2회 이상 반복하여 행한다. Provided is a heat t...

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Hauptverfasser: MINAMITAKE HARUHIKO, KAWASE YUSUKE, NAGAYAMA TAKAHISA, TATSUMI HIROAKI, MONODANE TAKESHI, KANADA KAZUNORI, MINATO TADAHARU, TAKENO SHOZUI
Format: Patent
Sprache:kor
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creator MINAMITAKE HARUHIKO
KAWASE YUSUKE
NAGAYAMA TAKAHISA
TATSUMI HIROAKI
MONODANE TAKESHI
KANADA KAZUNORI
MINATO TADAHARU
TAKENO SHOZUI
description 열처리 장치는, 레이저를 발진시키는 레이저 발진기(1)와, 레이저 발진기(1)로부터 발진된 레이저를 피처리물(5)에 조사시키는 1개 이상의 광학계(2)와, 피처리물(5)을 탑재시키는 회전대(3)를 구비하고, 레이저의 1회의 조사에 의한 피처리물(5)의 활성화율이 목표치에 도달하는 피처리물(5)의 도달 온도를 제 1 온도로 하면, 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도를 피처리물(5)의 도달 온도의 목표치로 설정하고, 광학계(2)로부터 피처리물(5)에 대하여 레이저의 조사를 2회 이상 반복하여 행한다. Provided is a heat treatment device including: a laser oscillator (1) configured to produce a laser; one or more optical systems (2) each configured to irradiate an object (5) to be treated with the laser produced from the laser oscillator (1); and a rotating table (3) on which the object (5) is to be mounted. When a reaching temperature of the object (5), at which an activation rate of the object (5) reaches a target value through one-time irradiation with the laser, is set as a first temperature, a second temperature lower than the first temperature is set as a target value of the reaching temperature of the object (5), and the object (5) is repeatedly irradiated with the laser from one of the one or more optical systems (2) two or more times.
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Provided is a heat treatment device including: a laser oscillator (1) configured to produce a laser; one or more optical systems (2) each configured to irradiate an object (5) to be treated with the laser produced from the laser oscillator (1); and a rotating table (3) on which the object (5) is to be mounted. When a reaching temperature of the object (5), at which an activation rate of the object (5) reaches a target value through one-time irradiation with the laser, is set as a first temperature, a second temperature lower than the first temperature is set as a target value of the reaching temperature of the object (5), and the object (5) is repeatedly irradiated with the laser from one of the one or more optical systems (2) two or more times.</description><language>kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2018</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20181008&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20180110018A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20181008&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20180110018A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MINAMITAKE HARUHIKO</creatorcontrib><creatorcontrib>KAWASE YUSUKE</creatorcontrib><creatorcontrib>NAGAYAMA TAKAHISA</creatorcontrib><creatorcontrib>TATSUMI HIROAKI</creatorcontrib><creatorcontrib>MONODANE TAKESHI</creatorcontrib><creatorcontrib>KANADA KAZUNORI</creatorcontrib><creatorcontrib>MINATO TADAHARU</creatorcontrib><creatorcontrib>TAKENO SHOZUI</creatorcontrib><title>열처리 장치, 열처리 방법, 레이저 어닐 장치, 및, 레이저 어닐 방법</title><description>열처리 장치는, 레이저를 발진시키는 레이저 발진기(1)와, 레이저 발진기(1)로부터 발진된 레이저를 피처리물(5)에 조사시키는 1개 이상의 광학계(2)와, 피처리물(5)을 탑재시키는 회전대(3)를 구비하고, 레이저의 1회의 조사에 의한 피처리물(5)의 활성화율이 목표치에 도달하는 피처리물(5)의 도달 온도를 제 1 온도로 하면, 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도를 피처리물(5)의 도달 온도의 목표치로 설정하고, 광학계(2)로부터 피처리물(5)에 대하여 레이저의 조사를 2회 이상 반복하여 행한다. Provided is a heat treatment device including: a laser oscillator (1) configured to produce a laser; one or more optical systems (2) each configured to irradiate an object (5) to be treated with the laser produced from the laser oscillator (1); and a rotating table (3) on which the object (5) is to be mounted. 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Provided is a heat treatment device including: a laser oscillator (1) configured to produce a laser; one or more optical systems (2) each configured to irradiate an object (5) to be treated with the laser produced from the laser oscillator (1); and a rotating table (3) on which the object (5) is to be mounted. When a reaching temperature of the object (5), at which an activation rate of the object (5) reaches a target value through one-time irradiation with the laser, is set as a first temperature, a second temperature lower than the first temperature is set as a target value of the reaching temperature of the object (5), and the object (5) is repeatedly irradiated with the laser from one of the one or more optical systems (2) two or more times.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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