SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME

According to one embodiment of the present invention, a semiconductor device executing a MOSFET operation and a diode operation comprises: an n- type layer positioned on a first surface of n+ type silicon carbide substrate; a trench positioned on the n- type layer; a p type region, an n+ type region, a p+ type region positioned on an upper part in the n- type layer; a gate insulating film positioned on the n- type layer, the n+ type region, and the p type region; a gate electrode positioned o the gate insulating film; an insulating film positioned on the gate electrode; a source electrode positioned on the insulating film and in the trench; and a drain electrode positioned a second surface of the n+ type silicon carbide substrate. The source electrode includes an ohmic junction region and a Schottky junction region. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 n+형 탄화 규소 기판의 제1면에 위치하는 n-형층, 상기 n-형층에 위치하는 트렌치, 상기 n-형층 내의 상부에 위치하는 p형 영역, n+형 영역 및 p+형 영역, 상기 n-형층, 상기 n+형 영역 및 상기 p형 영역 위에 위치하는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 위치하는 절연막, 상기 절연막 위 및 상기 트렌치 내에 위치하는 소스 전극, 그리고 상기 n+형 탄화 규소 기판의 제2면에 위치하는 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극은 오믹 접합 영역과 쇼트키 접합 영역을 포함한다.