PEALD ALD NITRIDE FILM FORMED BY PLASMA-ENHANCED AND THERMAL ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS

Provided are methods and apparatus for depositing a nitride film using at least one plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) cycles and one or more thermal ALD cycles within a single reactor. The number of the thermal ALD cycles may be greater than the number of the PEALD cycles. The integration of the thermal ALD cycles and the PEALD cycles may allow for better fine-tuning of the properties of the nitride film. In some embodiments, the nitride film is a silicon nitride film. The silicon nitride film can be micro-tuned to allow a silicon-rich film with a higher refractive index. In some embodiments, the PEALD cycles and the thermal ALD cycles can be maintained at the same wafer temperature. 단일의 반응기 내에서 하나 이상의 PEALD (plasma-enhanced atomic layer deposition) 사이클들 및 하나 이상의 열적 ALD 사이클들을 사용하여 나이트라이드 막을 증착하기 위한 방법들 및 장치들이 제공된다. 열적 ALD 사이클들의 수는 PEALD 사이클들의 수 이상일 수 있다. 열적 ALD 사이클들과 PEALD 사이클들의 통합은 나이트라이드 막의 특성들의 보다 우수한 미세-튜닝을 허용할 수 있다. 일부 구현예들에서, 나이트라이드 막은 실리콘 나이트라이드 막이다. 실리콘 나이트라이드 막은 보다 큰 굴절률을 가진 보다 실리콘-풍부 막을 허용하게 미세-튜닝될 수 있다. 일부 구현예들에서, PEALD 사이클들과 열적 ALD 사이클들은 동일한 웨이퍼 온도로 유지될 수 있다.