SILICON SUBSTRATE DIRECT BONDING METHOD AND APPARATUS SYSTEM THEREOF SILICON SUBSTRATE DIRECT BONDING APPARATUS ALIGN PARTS VERIFICATION METHOD

In the present invention, provided is a direct bonding method of a silicon substrate, which bonds a silicon substrate with a uniform contact. According to one aspect of the present invention, the direct bonding method of a silicon substrate comprises: a first step of loading a lower silicon substrate on a planar vacuum chuck of a lower stage, and loading an upper silicon substrate having flexibility on a downward convex curved vacuum chuck of an upper stage facing the lower stage; a second step of lifting the lower stage, and allowing the lower silicon substrate to be in contact from one point, such as the center, of the upper silicon substrate; a third step of separating the upper silicon substrate from the downward convex curved vacuum chuck; and a fourth step of further lifting the lower stage to bond the entire area of the lower and upper silicon substrates from the one point to another portion, such as the edge. 본 발명은 실리콘 기판을 균일한 접촉으로 접합하는 실리콘 기판 직접 접합 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 일 측면에 따른 실리콘 기판 직접 접합 방법은, 하부 스테이지의 평면 진공척에 하부 실리콘 기판을 로딩하고, 상기 하부 스테이지에 마주하는 상부 스테이지의 하향 볼록 곡면 진공척에 유연성을 가지는 상부 실리콘 기판을 로딩하는 제1단계, 상기 하부 스테이지를 상승시켜 상기 하부 실리콘 기판을 상기 상부 실리콘 기판의 한 지점(예, 중심)에서부터 접촉시키는 제2단계, 상기 상부 실리콘 기판을 상기 하향 볼록 곡면 진공척으로부터 분리하는 제3단계, 및 상기 하부 스테이지를 더 상승시켜 상기 하부 실리콘 기판과 상기 상부 실리콘 기판을 상기 한 지점에서 다른 부분(예, 외곽)까지 전체 면적을 접합하는 제4단계를 포함한다.