ADJUSTABLE SIDE GAS PLENUM FOR EDGE ETCH RATE CONTROL IN A DOWNSTREAM REACTOR
The present invention relates to a side tuning ring for a gas distribution device of a substrate processing system, comprising a first ring adjacent to a faceplate of a gas distribution device. The first ring surrounds the faceplate, defines a first plenum, communicates with a first gas source, and...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| creator | GUHA JOYDEEP BRAVO ANDREW STRATTON KUMAR JATINDER |
| description | The present invention relates to a side tuning ring for a gas distribution device of a substrate processing system, comprising a first ring adjacent to a faceplate of a gas distribution device. The first ring surrounds the faceplate, defines a first plenum, communicates with a first gas source, and includes a plurality of first holes arranged to direct gas from the first gas source to a process chamber at a first angle. A second ring is adjacent to the first ring. The second ring surrounds the first ring, defines a second plenum, communicates with at least one of the first gas source and a second gas source, and includes a plurality of second holes arranged to direct the gas from at least one of the first and second gas sources to the process chamber at the first angle or a second angle. The first and second rings are detachable from the faceplate of the gas distribution device.
기판 프로세싱 시스템의 가스 분배 디바이스를 위한 측면 튜닝 링은 가스 분배 디바이스의 대면 플레이트에 인접한 제 1 링을 포함한다. 제 1 링은 대면 플레이트를 둘러싸고, 제 1 플레넘을 규정하고, 제 1 가스 소스와 연통하고, 그리고 제 1 가스 소스로부터 프로세스 챔버 내로 제 1 각도로 가스를 지향시키도록 배열된 제 1 복수의 홀들을 포함한다. 제 2 링은 제 1 링에 인접하다. 제 2 링은 제 1 링을 둘러싸고, 제 2 플레넘을 규정하고, 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스 중 적어도 하나와 연통하고, 그리고 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스 중 적어도 하나로부터 프로세스 챔버 내로 제 1 각도 또는 제 2 각도로 가스를 지향시키도록 배열된 제 2 복수의 홀들을 포함한다. 제 1 링 및 제 2 링은 가스 분배 디바이스의 대면 플레이트로부터 탈착가능하다. |
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기판 프로세싱 시스템의 가스 분배 디바이스를 위한 측면 튜닝 링은 가스 분배 디바이스의 대면 플레이트에 인접한 제 1 링을 포함한다. 제 1 링은 대면 플레이트를 둘러싸고, 제 1 플레넘을 규정하고, 제 1 가스 소스와 연통하고, 그리고 제 1 가스 소스로부터 프로세스 챔버 내로 제 1 각도로 가스를 지향시키도록 배열된 제 1 복수의 홀들을 포함한다. 제 2 링은 제 1 링에 인접하다. 제 2 링은 제 1 링을 둘러싸고, 제 2 플레넘을 규정하고, 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스 중 적어도 하나와 연통하고, 그리고 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스 중 적어도 하나로부터 프로세스 챔버 내로 제 1 각도 또는 제 2 각도로 가스를 지향시키도록 배열된 제 2 복수의 홀들을 포함한다. 제 1 링 및 제 2 링은 가스 분배 디바이스의 대면 플레이트로부터 탈착가능하다.</description><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2017</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20171121&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20170127358A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76516</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20171121&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20170127358A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GUHA JOYDEEP</creatorcontrib><creatorcontrib>BRAVO ANDREW STRATTON</creatorcontrib><creatorcontrib>KUMAR JATINDER</creatorcontrib><title>ADJUSTABLE SIDE GAS PLENUM FOR EDGE ETCH RATE CONTROL IN A DOWNSTREAM REACTOR</title><description>The present invention relates to a side tuning ring for a gas distribution device of a substrate processing system, comprising a first ring adjacent to a faceplate of a gas distribution device. The first ring surrounds the faceplate, defines a first plenum, communicates with a first gas source, and includes a plurality of first holes arranged to direct gas from the first gas source to a process chamber at a first angle. A second ring is adjacent to the first ring. The second ring surrounds the first ring, defines a second plenum, communicates with at least one of the first gas source and a second gas source, and includes a plurality of second holes arranged to direct the gas from at least one of the first and second gas sources to the process chamber at the first angle or a second angle. The first and second rings are detachable from the faceplate of the gas distribution device.
기판 프로세싱 시스템의 가스 분배 디바이스를 위한 측면 튜닝 링은 가스 분배 디바이스의 대면 플레이트에 인접한 제 1 링을 포함한다. 제 1 링은 대면 플레이트를 둘러싸고, 제 1 플레넘을 규정하고, 제 1 가스 소스와 연통하고, 그리고 제 1 가스 소스로부터 프로세스 챔버 내로 제 1 각도로 가스를 지향시키도록 배열된 제 1 복수의 홀들을 포함한다. 제 2 링은 제 1 링에 인접하다. 제 2 링은 제 1 링을 둘러싸고, 제 2 플레넘을 규정하고, 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스 중 적어도 하나와 연통하고, 그리고 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스 중 적어도 하나로부터 프로세스 챔버 내로 제 1 각도 또는 제 2 각도로 가스를 지향시키도록 배열된 제 2 복수의 홀들을 포함한다. 제 1 링 및 제 2 링은 가스 분배 디바이스의 대면 플레이트로부터 탈착가능하다.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2017</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPB1dPEKDQ5xdPJxVQj2dHFVcHcMVgjwcfUL9VVw8w9ScHVxd1VwDXH2UAhyDHFVcPb3Cwny91Hw9FNwVHDxD_cLDglydfRVABLOIf5BPAysaYk5xam8UJqbQdkNpFk3tSA_PrW4IDE5NS-1JN47yMjA0NzA0Mjc2NTC0Zg4VQBcci6h</recordid><startdate>20171121</startdate><enddate>20171121</enddate><creator>GUHA JOYDEEP</creator><creator>BRAVO ANDREW STRATTON</creator><creator>KUMAR JATINDER</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20171121</creationdate><title>ADJUSTABLE SIDE GAS PLENUM FOR EDGE ETCH RATE CONTROL IN A DOWNSTREAM REACTOR</title><author>GUHA JOYDEEP ; BRAVO ANDREW STRATTON ; KUMAR JATINDER</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20170127358A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2017</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GUHA JOYDEEP</creatorcontrib><creatorcontrib>BRAVO ANDREW STRATTON</creatorcontrib><creatorcontrib>KUMAR JATINDER</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GUHA JOYDEEP</au><au>BRAVO ANDREW STRATTON</au><au>KUMAR JATINDER</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>ADJUSTABLE SIDE GAS PLENUM FOR EDGE ETCH RATE CONTROL IN A DOWNSTREAM REACTOR</title><date>2017-11-21</date><risdate>2017</risdate><abstract>The present invention relates to a side tuning ring for a gas distribution device of a substrate processing system, comprising a first ring adjacent to a faceplate of a gas distribution device. The first ring surrounds the faceplate, defines a first plenum, communicates with a first gas source, and includes a plurality of first holes arranged to direct gas from the first gas source to a process chamber at a first angle. A second ring is adjacent to the first ring. The second ring surrounds the first ring, defines a second plenum, communicates with at least one of the first gas source and a second gas source, and includes a plurality of second holes arranged to direct the gas from at least one of the first and second gas sources to the process chamber at the first angle or a second angle. The first and second rings are detachable from the faceplate of the gas distribution device.
기판 프로세싱 시스템의 가스 분배 디바이스를 위한 측면 튜닝 링은 가스 분배 디바이스의 대면 플레이트에 인접한 제 1 링을 포함한다. 제 1 링은 대면 플레이트를 둘러싸고, 제 1 플레넘을 규정하고, 제 1 가스 소스와 연통하고, 그리고 제 1 가스 소스로부터 프로세스 챔버 내로 제 1 각도로 가스를 지향시키도록 배열된 제 1 복수의 홀들을 포함한다. 제 2 링은 제 1 링에 인접하다. 제 2 링은 제 1 링을 둘러싸고, 제 2 플레넘을 규정하고, 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스 중 적어도 하나와 연통하고, 그리고 제 1 가스 소스 및 제 2 가스 소스 중 적어도 하나로부터 프로세스 챔버 내로 제 1 각도 또는 제 2 각도로 가스를 지향시키도록 배열된 제 2 복수의 홀들을 포함한다. 제 1 링 및 제 2 링은 가스 분배 디바이스의 대면 플레이트로부터 탈착가능하다.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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