PLASMA PROCESSING APPARATUS

본 발명은, 통형 전극과 실드의 접촉을 방지하여 막처리를 안정적으로 행하는 것을 과제로 한다. 플라즈마 처리 장치는, 개구부(11)가 설치된 일단부인 하단부와, 폐색된 타단부인 상단부를 가지며, 내부에 프로세스 가스가 도입되고 전압이 인가되는 것에 의해 그 프로세스 가스를 플라즈마화시키는 통형 전극(10)과, 개구(1a)를 갖는 진공 용기인 챔버(1)를 구비하고, 상단부가 개구(1a)에 절연 부재(22)를 통해 부착된 통형 전극(10)이 챔버(1)의 내부로 연장된다. 플라즈마 처리 장치는 또한, 프로세스 가스에 의해 처리되는 워크(W)를, 통형 전극(10)의 개구부(11)의 아래에 반송하는 반송부인 회전 테이블(3)과, 진공 용기의 내부로 연장되는 통형 전극(10)을, 간극(d)을 두고 덮는 실드(13)와, 통형 전극(10)과 실드(13)의 간극(d)에 설치되고, 절연 재료로 구성된 스페이서(30)를 구비한다. A plasma processing apparatus includes a cylindrical electrode which has a lower end provided with an opening, an upper end that is a closed end, in which a process gas is introduced, and which obtains a plasma process gas upon application of the voltage, and a chamber that is a vacuum container provided with an opening. The cylindrical electrode, which has the upper end attached to the opening of the chamber via an insulation material, is extended in the chamber. The plasma processing apparatus also includes a rotation table carrying a workpiece to be processed by the process gas to a space below the opening of the cylindrical electrode, a shield covering the cylindrical electrode extended inside the chamber via a gap, and a spacer installed in the gap, and formed of an insulation material.