A METHOD FOR CAPPING A COPPER SURFACE ON A SUBSTRATE

본 발명의 실시예들은 노출된 유전체 위에 있는 구리 표면 상에 코발트 층을 선택적으로 형성하기 위한 공정을 제공한다. 일 실시예에서, 기판 상에 구리 표면을 캡핑하기 위한 방법이 제공되며, 이 방법은 예비-처리 공정 중에 금속 구리 표면을 형성하면서 처리 챔버 내의 기판의 오염된 구리 표면을 환원제에 노출시키는 단계와, 기상 증착 공정 중에 유전체 표면을 그대로 노출시키면서 상기 금속 구리 표면 상에 또는 위에 코발트 캡핑 층을 선택적으로 형성하도록 상기 기판을 코발트 전구체 가스에 노출시키는 단계, 및 상기 코발트 캡핑 층과 유전...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	YU, SANG HO, MORAES KEVIN, GANGULI SESHADRI, CHUNG HUA, PHAN SEE ENG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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