WAFER DEFECT DISCOVERY

웨이퍼 상에서 결함을 발견하기 위한 시스템과 방법이 제공된다. 일 방법은, 웨이퍼의 제1 주사에서 검출기에 의해 생성되는 출력에 역치를 적용함으로써 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 단계와, 검출된 결함의 특성에 대한 값을 결정하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 결함을 빈(bin)으로 그룹짓도록 특성에 자동으로 등급을 매기는 단계, 특성 커트-라인을 식별하는 단계, 빈 각각마다, 빈 각각에서의 결합의 특성에 대한 값에 적용된다면, 빈 각각에서의 미리 결정된 수의 결함을 초래할 하나 이상의 파라미터를 결정하는 단계를 포함한다. 이 방법은, 미리 결정된 결함 카운트를 갖고 특성에 대한 값이 다양화되는 결함 모집단을 생성하도록 웨이퍼의 제2 주사에서 검출기에 의해 생성되는 출력에 하나 이상의 결정된 파라미터를 적용하는 단계를 또한 포함한다. Systems and methods for discovering defects on a wafer are provided. One method includes detecting defects on a wafer by applying a threshold to output generated by a detector in a first scan of the wafer and determining values for features of the detected defects. The method also includes automatically ranking the features, identifying feature cut-lines to group the defect into bins, and, for each of the bins, determining one or more parameters that if applied to the values for the features of the defects in each of the bins will result in a predetermined number of the defects in each of the bins. The method also includes applying the one or more determined parameters to the output generated by the detector in a second scan of the wafer to generate a defect population that has a predetermined defect count and is diversified in the values for the features.