STACKED PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
스택 패키지 제조 방법은, 제1 반도체 칩이 실장된 제1 패키지 기판을 형성한다. 제2 반도체 칩이 실장된 제2 패키지 기판을 형성한다. 인터포저 기판의 저면 또는 상면에 제1 두께를 갖는 복수 개의 신호 패드들, 및 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 열 확산부를 형성한다. 그리고 열 확산부가 제1 반도체 칩의 상면 또는 제2 패키지 기판의 저면과 접촉하도록 제1 패키지 기판, 인터포저 기판, 및 제2 패키지 기판을 순차적으로 적층시킨다. In a method of manufacturing a stack package, a fir...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 스택 패키지 제조 방법은, 제1 반도체 칩이 실장된 제1 패키지 기판을 형성한다. 제2 반도체 칩이 실장된 제2 패키지 기판을 형성한다. 인터포저 기판의 저면 또는 상면에 제1 두께를 갖는 복수 개의 신호 패드들, 및 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 열 확산부를 형성한다. 그리고 열 확산부가 제1 반도체 칩의 상면 또는 제2 패키지 기판의 저면과 접촉하도록 제1 패키지 기판, 인터포저 기판, 및 제2 패키지 기판을 순차적으로 적층시킨다.
In a method of manufacturing a stack package, a first semiconductor chip is formed on a first package substrate. A second semiconductor chip is formed on a second package substrate. A plurality of signal pads and a thermal diffusion member are formed on a lower surface and/or an upper surface of an interposer substrate, the signal pad having a first height and the thermal diffusion member having a second height greater than the first height. The first package substrate, the interposer substrate, and the second package substrate are sequentially stacked on one another such that the thermal diffusion member is in contact with an upper surface of the first semiconductor chip or a lower surface of the second package substrate. |
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