DETECTION OF READ DISTURBANCES ON NON-VOLATILE MEMORIES THROUGH COUNTING OF READ ACCESSES WITHIN DIVISIONS OF THE MEMORY

비휘발성 메모리 디바이스들에서, 워드 라인 상의 데이터의 액세스는 이웃하는 워드 라인 상의 데이터 품질을 열화시킬 수 있고, 이는 판독 교란이라고 불리운다. 판독 횟수를 추적하기 위한 해시 트리의 사용에 의해 판독 교란을 겪을 가능성이 있는 워드 라인들을 결정하기 위한 기법들이 제시된다. 다이 또는 블록과 같은 비교적 거친 입도로 메모리 유닛들에 대한 판독 카운터가 유지된다. 이러한 유닛들 중 하나의 유닛에 대한 카운터가 특정 레벨에 도달할 때, 카운터들을 저장하기 위해 제어기 상의 RAM의 비교적 많지 않은 양만을 사용하면서 빈번히 판독되는 워드 라인들을 미세 레벨의 입도로 결정하기 위해 반복되는 프로세스에서, 그것은 자신의 판독 카운터를 각각 갖는 서브유닛들로 세분된다. In non-volatile memory devices, the accessing of data on word line can degrade the data quality on a neighboring word line, in what is called a read disturb. Techniques are presented for determining word lines likely to suffer read disturbs by use of a hash tree for tracking the number of reads. Read counters are maintained for memory units at a relatively coarse granularity, such as a die or block. When the counter for one of these units reaches a certain level, it is subdivided into sub-units, each with their own read counter, in a process that be repeated to determine frequently read word lines with a fine level of granularity while only using a relatively modest amount of RAM on the controller to store the counters.