METHOD FOR ETCHING ETCH LAYER AND WAFER ETCHING APPARATUS

Provided are a method of etching an etching layer formed on a front surface of a wafer and a wafer etching apparatus. The wafer etching apparatus comprises a first flow channel, a temperature adjusting module, and a second flow channel. The first flow channel is configured to transfer a liquid, which has been heated or cooled in advance, to control a temperature of a wafer. The temperature adjusting module is coupled with the first flow channel. The temperature adjusting module is configured to control a temperature of the liquid in the first flow channel. The second flow channel is configured to transfer an etchant to etch the etching layer formed on the front surface of the wafer. The method according to the present invention comprises the steps of: controlling a temperature of a wafer by using a liquid which has been heated or cooled in advance; and etching an etching layer by using an etchant. According to the present invention, a temperature of a wafer can be adjusted and controlled well. 웨이퍼의 정면에 형성된 에칭층을 에칭하기 위한 방법 및 웨이퍼 에칭 장치가 제공된다. 웨이퍼 에칭 장치는 제1 유동 채널, 온도 조절 모듈, 및 제2 유동 채널을 포함한다. 제1 유동 채널은 웨이퍼의 온도를 제어하기 위해 예열된/예냉된 액체를 운반하도록 구성된다. 온도 조절 모듈은 제1 유동 채널에 결합된다. 온도 조절 모듈은 제1 유동 채널 내의 액체의 온도를 제어하도록 구성된다. 제2 유동 채널은 웨이퍼의 정면에 형성된 에칭층을 에칭하기 위해 에칭제를 운반하도록 구성된다. 방법은 예열된/예냉된 액체를 사용하여 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계, 및 에칭층을 에칭제로 에칭하는 단계를 포함한다.