SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

본 발명은 화학적 제거 처리에 의해서 Si계 막을 효과적으로 제거한다. 처리실(21)내에 수납한 기판 표면의 Si계 막을 제거하는 기판 처리 방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐 원소를 포함하는 가스와 염기성 가스에 의해, 기판 표면의 Si계 막을 반응 생성물로 변질시키는 제 1 공정 S1과, 상기 처리실(21)내를 제 1 공정 S1보다 감압하여, 상기 반응 생성물을 기화시키는 제 2 공정 S2을 2회 이상 반복하는 것을 포함한다. 이것에 의해, Si계 막의 제거 레이트가 높아지고, 생산성이 향상한다. A substrate processing method for removing an Si-based film on a surface of a substrate accommodated in a processing chamber includes a first step in which the Si-based film on the surface of the substrate is transformed into a reaction product by a gas containing a halogen element and an alkaline gas in the processing chamber and a second step in which the reaction product is vaporized in the processing chamber which is depressurized to a pressure lower than a pressure during the first step. The first step and the second step are repeated two or more times.