SUBSTRATE TREATING APPARATUS

The present invention relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a process chamber; a substrate support unit; an antenna; and a dielectric plate. The dielectric plate has a base plate and a lower plate which can be attached to and detached from the bottom of the base plate. Accordingly, the lower plate is provided with a material having higher resistance to plasma than that of the base plate, thereby preventing the dielectric plate from being damaged by plasma. Only a part of the dielectric plate can be replaced, thereby achieving easy replacement and reducing costs required for the replacement. The lower plate is provided with a thickness thinner than that of the base plate, thus transmissivity and a refractive index of a microwave electric field for the entire dielectric plate do not deviate from the scope of process requirement even when the lower plate is provided with a material that is different from that of the base plate. In addition, by changing the shape of the lower plate and the shape of a face where the base plate and the lower plate are in contact with each other, the density of each area of the microwave electric field can be adjusted. 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버, 기판 지지 유닛, 안테나 및 유전판 등을 포함한다. 유전판은 베이스 판 및 베이스 판의 저면에 탈부착이 가능한 하부 판을 가진다. 따라서, 하부판을 베이스 판에 비해 내 플라스마성이 강한 재질로 제공함으로써 플라스마에 의한 유전판의 손상을 방지하고, 유전판의 일부만을 교체 가능함으로써 교체가 용이하고 교체 비용이 감소하며, 하부판이 베이스 판에 비해 얇은 두께로 제공됨으로써, 하부판을 베이스 판과 상이한 재질로 제공한 경우에도 유전판 전체에 대한 마이크로파 전계의 투과율 및 굴절율 등이 공정 요건의 범위를 벗어나지 않게 된다. 또한, 하부판의 형상 및 베이스 판과 하부판이 맞닿는 면의 형상을 변경함으로써 마이크로파 전계의 영역별 밀도를 조절할 수 있다.