LAYER-BY-LAYER DEPOSITION OF CARBON-DOPED OXIDE FILMS

본 발명의 구체예들은 콘포말한 탄소-기반 물질의 증착에 관한 것이다. 일 구체예에서, 본 방법은 기판 위에 사전결정된 두께를 갖는 희생 유전체 층을 증착시키고, 희생 유전체 층의 일부들을 제거하여 기판의 상부 표면을 노출시킴으로써 기판 상에 패턴화된 피쳐들을 형성시키고, 가공 챔버에 탄화수소 소스, 플라즈마-개시 가스, 및 희석 가스를 도입하되, 탄화수소 소스 : 플라즈마-개시 가스 : 희석 가스의 부피 유량이 1:0.5:20의 비이고, 플라즈마를 약 300℃ 내지 약 500℃의 증착 온도에서 발생시켜 패턴화된 피쳐들 및 기판의 노출된 상부 표면 상에 콘포말한 비정질 탄소 층을 증착시키고, 패턴화된 피쳐들의 상부 표면 및 기판의 상부 표면으로부터 비정질 탄소 층을 선택적으로 제거하고, 패턴화된 피쳐들을 제거하는 것을 포함한다. Embodiments of the invention relate to deposition of a conformal carbon-based material. In one embodiment, the method comprises depositing a sacrificial dielectric layer with a predetermined thickness over a substrate, forming patterned features on the substrate by removing portions of the sacrificial dielectric layer to expose an upper surface of the substrate, introducing a hydrocarbon source, a plasma-initiating gas, and a dilution gas into the processing chamber, wherein a volumetric flow rate of hydrocarbon source:plasma-initiating gas:dilution gas is in a ratio of 1:0.5:20, generating a plasma at a deposition temperature of about 300 C to about 500 C to deposit a conformal amorphous carbon layer on the patterned features and the exposed upper surface of the substrate, selectively removing the amorphous carbon layer from an upper surface of the patterned features and the upper surface of the substrate, and removing the patterned features.