REDUCING INSERTION LOSS IN LNA BYPASS MODE BY USING A SINGLE-POLE-TRIPLE-THROW SWITCH IN A RF FRONT END MODULE

바이패스 모드를 구비한 저 잡음 증폭기(LNA)를 갖는 마이크로파 무선 주파수(RF) 프런트 엔드 모듈(FEM)은 삽입 손실을 약 1dB로 감소시키는 단극 삼투 RF 스위치를 이용하여 현존하는 기술인 2개의 직렬연결된 단극 쌍투 RF 스위치들을 능가하는 RF 수신기 감도를 개선한다. 단극 삼투 RF 스위치는 공통 소스 입력부 및 분리된 독립 드레인 출력부들로 배열될 수 있는 3개의 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) RF 스위치들일 수 있다. RF 스위치들은 단일, 이중 또는 삼중 게이트 MOSFET RF 스위치들일 수 있다. MOSFET RF 스위치들은 또한, 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS) 전계 효과 트랜지스터(FET) 스위치들로서 구성될 수 있다. A microwave radio frequency (RF) front end module (FEM) having a low noise amplifier (LNA) with a bypass mode uses a single-pole-triple-throw RF switch that reduces insertion loss to about 1 dB and thereby improves RF receiver sensitivity over existing technology two series connected single-pole-double throw RF switches. The single-pole-triple-throw RF switch may be three metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) RF switches that may be arranged with a common source input and isolated independent drain outputs. The RF switches may be single, double or triple gate MOSFET RF switches. The MOSFET RF switches may also be configured as complementary metal oxide semiconductor (CMOS) field effect transistor (FET) RF switches.