APPARATUS FOR FABRICATING 3D NANO STRUCTURE AND METHOD OF CONSTRUCTION USING THE SAME
An apparatus for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure and a method for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure using the same are disclosed. According to an embodiment of the present invention, the apparatus for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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creator | HONG, KI PYO PARK, JI HWANG LEE, KYUNG SOO GANG, MYEONG GU MIN, BYUNG KWON LEE, SANG JO |
description | An apparatus for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure and a method for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure using the same are disclosed. According to an embodiment of the present invention, the apparatus for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure comprises: a sputtering source unit (100) having a source member (110) and having a source member fixing unit (120) and having a plasma generation unit (130) and wherein the source member (11) is sputtered by plasma (190) generated from the plasma generation unit (13) to generate nanoparticels; an ionization device unit (200) irradiating the plasma or a laser to the sputtered nanoparticles (111) to be positively charged; and a sputtering chamber (410) discharging the positively charged nanoparticles (112) generated from the ionization device unit (200) to an ionization particle outlet (411).
3차원 나노 스케일의 구조물 제작 장치 및 이를 이용한 3차원 나노 스케일 구조물 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조물 제작장치는, 소스부재(110), 소스부재 고정부(120) 및 플라즈마 발생부(130)를 구비하고, 상기 소스부재(110)는 플라즈마 발생부(130)로부터 발생한 플라즈마(190)에 의해 스퍼터링되어 나노 입자를 발생하는 스퍼터링 소스부(100); 상기 스퍼터링 소스부(100)에 인접하여 장착되고, 스퍼터링된 나노 입자들(111)이 양전하를 띠도록 스퍼터링된 나노 입자들(111)에 플라즈마 또는 레이저를 조사하는 이온화 장치부(200); 상기 스퍼터링 소스부(100) 및 이온화 장치부(200)를 내부에 장착하고, 이온화 입자 배출구(411)를 구비하며, 상기 이온화 장치부(200)로부터 생성된 양전하를 띤 나노 입자들(112)을 상기 이온화 입자 배출구(411)로 배출시키는 스퍼터링 챔버(sputtering chamber, 410); 상기 이온화 입자 배출구(411)에 인접하여 연통되어 장착되고, 집속 입자 배출구(421)를 구비하며, 이온화된 입자들(112)을 이온 집속 렌즈(320)를 통해 집속하고, 상기 집속 입자 배출구(421)를 통해 집속된 입자(113)를 배출시키는 이온 제어 렌즈부(300); 및 상기 집속 입자 배출구(421)에 인접하여 위치하고, 집속된 입자들(113)을 끌어 당기는 음극판(520)을 구비하며, 집속된 입자들(113)을 기판(510)에 증착시키는 기판 증착부(500);를 포함한다. |
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3차원 나노 스케일의 구조물 제작 장치 및 이를 이용한 3차원 나노 스케일 구조물 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조물 제작장치는, 소스부재(110), 소스부재 고정부(120) 및 플라즈마 발생부(130)를 구비하고, 상기 소스부재(110)는 플라즈마 발생부(130)로부터 발생한 플라즈마(190)에 의해 스퍼터링되어 나노 입자를 발생하는 스퍼터링 소스부(100); 상기 스퍼터링 소스부(100)에 인접하여 장착되고, 스퍼터링된 나노 입자들(111)이 양전하를 띠도록 스퍼터링된 나노 입자들(111)에 플라즈마 또는 레이저를 조사하는 이온화 장치부(200); 상기 스퍼터링 소스부(100) 및 이온화 장치부(200)를 내부에 장착하고, 이온화 입자 배출구(411)를 구비하며, 상기 이온화 장치부(200)로부터 생성된 양전하를 띤 나노 입자들(112)을 상기 이온화 입자 배출구(411)로 배출시키는 스퍼터링 챔버(sputtering chamber, 410); 상기 이온화 입자 배출구(411)에 인접하여 연통되어 장착되고, 집속 입자 배출구(421)를 구비하며, 이온화된 입자들(112)을 이온 집속 렌즈(320)를 통해 집속하고, 상기 집속 입자 배출구(421)를 통해 집속된 입자(113)를 배출시키는 이온 제어 렌즈부(300); 및 상기 집속 입자 배출구(421)에 인접하여 위치하고, 집속된 입자들(113)을 끌어 당기는 음극판(520)을 구비하며, 집속된 입자들(113)을 기판(510)에 증착시키는 기판 증착부(500);를 포함한다.</description><language>eng ; kor</language><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150528&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20150057978A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150528&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20150057978A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HONG, KI PYO</creatorcontrib><creatorcontrib>PARK, JI HWANG</creatorcontrib><creatorcontrib>LEE, KYUNG SOO</creatorcontrib><creatorcontrib>GANG, MYEONG GU</creatorcontrib><creatorcontrib>MIN, BYUNG KWON</creatorcontrib><creatorcontrib>LEE, SANG JO</creatorcontrib><title>APPARATUS FOR FABRICATING 3D NANO STRUCTURE AND METHOD OF CONSTRUCTION USING THE SAME</title><description>An apparatus for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure and a method for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure using the same are disclosed. According to an embodiment of the present invention, the apparatus for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure comprises: a sputtering source unit (100) having a source member (110) and having a source member fixing unit (120) and having a plasma generation unit (130) and wherein the source member (11) is sputtered by plasma (190) generated from the plasma generation unit (13) to generate nanoparticels; an ionization device unit (200) irradiating the plasma or a laser to the sputtered nanoparticles (111) to be positively charged; and a sputtering chamber (410) discharging the positively charged nanoparticles (112) generated from the ionization device unit (200) to an ionization particle outlet (411).
3차원 나노 스케일의 구조물 제작 장치 및 이를 이용한 3차원 나노 스케일 구조물 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조물 제작장치는, 소스부재(110), 소스부재 고정부(120) 및 플라즈마 발생부(130)를 구비하고, 상기 소스부재(110)는 플라즈마 발생부(130)로부터 발생한 플라즈마(190)에 의해 스퍼터링되어 나노 입자를 발생하는 스퍼터링 소스부(100); 상기 스퍼터링 소스부(100)에 인접하여 장착되고, 스퍼터링된 나노 입자들(111)이 양전하를 띠도록 스퍼터링된 나노 입자들(111)에 플라즈마 또는 레이저를 조사하는 이온화 장치부(200); 상기 스퍼터링 소스부(100) 및 이온화 장치부(200)를 내부에 장착하고, 이온화 입자 배출구(411)를 구비하며, 상기 이온화 장치부(200)로부터 생성된 양전하를 띤 나노 입자들(112)을 상기 이온화 입자 배출구(411)로 배출시키는 스퍼터링 챔버(sputtering chamber, 410); 상기 이온화 입자 배출구(411)에 인접하여 연통되어 장착되고, 집속 입자 배출구(421)를 구비하며, 이온화된 입자들(112)을 이온 집속 렌즈(320)를 통해 집속하고, 상기 집속 입자 배출구(421)를 통해 집속된 입자(113)를 배출시키는 이온 제어 렌즈부(300); 및 상기 집속 입자 배출구(421)에 인접하여 위치하고, 집속된 입자들(113)을 끌어 당기는 음극판(520)을 구비하며, 집속된 입자들(113)을 기판(510)에 증착시키는 기판 증착부(500);를 포함한다.</description><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNi8sKwjAQAHPxIOo_LHgWoqW0Htc8TJBmS7I5lyLxJFqo_4-IfoCnOczMUmTse4zIOYGlCBZP0StkH85QaQgYCBLHrDhHAxg0dIYdaSALisJXeQqQ02dhZyBhZ9ZicRvvc9n8uBJba1i5XZmeQ5mn8Voe5TVc4kHuaynr5ti0WP1XvQEOFzE3</recordid><startdate>20150528</startdate><enddate>20150528</enddate><creator>HONG, KI PYO</creator><creator>PARK, JI HWANG</creator><creator>LEE, KYUNG SOO</creator><creator>GANG, MYEONG GU</creator><creator>MIN, BYUNG KWON</creator><creator>LEE, SANG JO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20150528</creationdate><title>APPARATUS FOR FABRICATING 3D NANO STRUCTURE AND METHOD OF CONSTRUCTION USING THE SAME</title><author>HONG, KI PYO ; PARK, JI HWANG ; LEE, KYUNG SOO ; GANG, MYEONG GU ; MIN, BYUNG KWON ; LEE, SANG JO</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20150057978A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2015</creationdate><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HONG, KI PYO</creatorcontrib><creatorcontrib>PARK, JI HWANG</creatorcontrib><creatorcontrib>LEE, KYUNG SOO</creatorcontrib><creatorcontrib>GANG, MYEONG GU</creatorcontrib><creatorcontrib>MIN, BYUNG KWON</creatorcontrib><creatorcontrib>LEE, SANG JO</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HONG, KI PYO</au><au>PARK, JI HWANG</au><au>LEE, KYUNG SOO</au><au>GANG, MYEONG GU</au><au>MIN, BYUNG KWON</au><au>LEE, SANG JO</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>APPARATUS FOR FABRICATING 3D NANO STRUCTURE AND METHOD OF CONSTRUCTION USING THE SAME</title><date>2015-05-28</date><risdate>2015</risdate><abstract>An apparatus for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure and a method for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure using the same are disclosed. According to an embodiment of the present invention, the apparatus for manufacturing a three-dimensional nano-scale structure comprises: a sputtering source unit (100) having a source member (110) and having a source member fixing unit (120) and having a plasma generation unit (130) and wherein the source member (11) is sputtered by plasma (190) generated from the plasma generation unit (13) to generate nanoparticels; an ionization device unit (200) irradiating the plasma or a laser to the sputtered nanoparticles (111) to be positively charged; and a sputtering chamber (410) discharging the positively charged nanoparticles (112) generated from the ionization device unit (200) to an ionization particle outlet (411).
3차원 나노 스케일의 구조물 제작 장치 및 이를 이용한 3차원 나노 스케일 구조물 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 나노 구조물 제작장치는, 소스부재(110), 소스부재 고정부(120) 및 플라즈마 발생부(130)를 구비하고, 상기 소스부재(110)는 플라즈마 발생부(130)로부터 발생한 플라즈마(190)에 의해 스퍼터링되어 나노 입자를 발생하는 스퍼터링 소스부(100); 상기 스퍼터링 소스부(100)에 인접하여 장착되고, 스퍼터링된 나노 입자들(111)이 양전하를 띠도록 스퍼터링된 나노 입자들(111)에 플라즈마 또는 레이저를 조사하는 이온화 장치부(200); 상기 스퍼터링 소스부(100) 및 이온화 장치부(200)를 내부에 장착하고, 이온화 입자 배출구(411)를 구비하며, 상기 이온화 장치부(200)로부터 생성된 양전하를 띤 나노 입자들(112)을 상기 이온화 입자 배출구(411)로 배출시키는 스퍼터링 챔버(sputtering chamber, 410); 상기 이온화 입자 배출구(411)에 인접하여 연통되어 장착되고, 집속 입자 배출구(421)를 구비하며, 이온화된 입자들(112)을 이온 집속 렌즈(320)를 통해 집속하고, 상기 집속 입자 배출구(421)를 통해 집속된 입자(113)를 배출시키는 이온 제어 렌즈부(300); 및 상기 집속 입자 배출구(421)에 인접하여 위치하고, 집속된 입자들(113)을 끌어 당기는 음극판(520)을 구비하며, 집속된 입자들(113)을 기판(510)에 증착시키는 기판 증착부(500);를 포함한다.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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subjects | CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION |
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