METHOD OF SILICON ETCH FOR TRENCH SIDEWALL SMOOTHING

트렌치 측벽 평활화(smoothing)를 위한 실리콘 에칭의 방법들이 설명된다. 일 실시예에서, 방법은, 플라즈마 에칭을 통해 반도체 웨이퍼에 형성된 트렌치의 측벽을 평활화하는 단계를 수반한다. 방법은, 트렌치의 측벽을 평활화하기 위해, 불소 가스로부터 생성된 플라즈마를 이용하여 반도체 웨이퍼를 방향성으로(directionally) 에칭하는 단계를 포함하며, 트렌치는, 산소 또는 중합 가스와 같은 제 2 프로세스 가스에 의해 생성된 플라즈마에 의해 형성된 보호 층을 갖는다. 다른 실시예에서, 방법은, 평활한 측벽을 갖는 트렌치를 생성하기 위해, 반도체 웨이퍼를 에칭하는 단계를 수반한다. 방법은, 불소 가스를 포함하는 하나 또는 그 초과의 제 1 프로세스 가스들을 이용하여 반도체 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 단계, 불소 가스와 중합 가스의 혼합물을 포함하는 하나 또는 그 초과의 제 2 프로세스 가스들을 이용하여, 동시에, 증착을 수행하고 반도체 웨이퍼를 플라즈마 에칭하는 단계, 및 중합 가스를 포함하는 하나 또는 그 초과의 제 3 프로세스 가스들을 이용하여 증착을 수행하는 단계를 포함한다. Methods of silicon etch for trench sidewall smoothing are described. In one embodiment, a method involves smoothing a sidewall of a trench formed in a semiconductor wafer via plasma etching. The method includes directionally etching the semiconductor wafer with plasma generated from a fluorine gas to smooth the sidewall of the trench, the trench having a protective layer formed by plasma generated by a second process gas such as oxygen or a polymerization gas. In another embodiment, a method involves etching a semiconductor wafer to generate a trench having a smooth sidewall. The method includes plasma etching the semiconductor wafer with one or more first process gases including a fluorine gas, simultaneously performing deposition and plasma etching the semiconductor wafer with one or more second process gases including a fluorine gas and a polymerization gas mix, and performing deposition with one or more third process gases including a polymerization gas.