POST CLEANING PROCESS IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS

PURPOSE: A post cleaning process in a chemical mechanical polishing(CMP) process is provided to reliably eliminate the slurry residue generated on a wafer by applying megasonic while a wet wafer is dipped into a bath containing a dilute HF(DHF) solution immediately after a CMP process is completed. CONSTITUTION: The slurry reside is removed in a post cleaning process after a CMP process is performed on the wafer(30). The wafer maintains a wet state while megasonic(33) is applied and the wafer is dipped into the bath(31) having a DHF solution(32) for a predetermined interval of time. The density of the DHF solution satisfies the following condition. H2O:HF=400:1-1000:1. 본 발명은 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 공정에서 웨이퍼 연마 직후에 수행하는 포스트 세정 공정을 개시한다. 개시된 본 발명의 포스 세정 공정은, 연마가 끝난 웨이퍼를 젖은(wetting) 상태를 유지하여 DHF(Dilute HF) 용액이 담긴 배스(bath)에 소정 시간 동안 디핑시키면서 메가소닉(megasonic)을 가하는 것을 특징으로 하며, 여기서, 상기 DHF 용액의 농도는 HO:HF를 400:1∼1,000:1로 유지시키고, 상기 웨이퍼의 디핑은 10∼30초 동안 수행한다. 본 발명에 따르면, 포스트 세정 공정을 브러쉬 스크러빙 방식이 아닌 배스 디핑 방식으로 진행하기 때문에 슬러리 잔여물 제거의 신뢰성을 확보하면서도 브러쉬 사용에 기인하는 비용 증가 및 장비 가동률 저하 등의 문제를 해결할 수 있으며, 그래서, 공정 단순화 및 비용 절감의 효과를 얻을 수 있다.