Manufacturing method for semiconductor device

PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to stabilize a capacitor mask process by forming a photo-resist layer pattern on a wafer edge portion and performing the capacitor mask process. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(10) is formed on a semiconductor substrate(1). A contact hole is formed on the semiconductor substrate(1). A contact plug(16) is formed by using a polysilicon or a selective-W. A core oxide layer(20) is formed on a whole surface of the above structure. The first photo-resist layer(34) is formed on the core oxide layer(20). The first photo-resist layer(34) is exposed selectively by using an anti-capacitor mask. The first photo-resist layer pattern(34) is formed by developing the first photo-resist layer(34). The second photo-resist layer(38) is applied on the whole surface. A charge storage electrode hole is formed by etching the exposed core oxide layer(20). 본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 코아산화막에 전하저장전극용 홀을 형성하고, 전면에 다결정실리콘층을 도포한 후, 코아산화막 상부의 다결정실리콘층을 제거하여 전하저장전극을 형성하는 공정에서 웨이퍼에지 부분에 네가티브 감광막으로 제1감광막 패턴을 형성하고, 포지티브 감광막으로 전하저장전극용 홀 형성을 위한 제2감광막 패턴을 형성한 후, 코아산화막 에치를 실시하였으므로, 코아산화막 에치시 웨이퍼에지 부분에서는 코아산화막 대신 제1감광막 패턴이 식각되어 그 하부의 코아산화막은 손상되지 않으므로 패턴의 유실이나 무너짐 등의 불량이 발생되지 않고, 후속 다결정실리콘층 분리 공정시에도 웨이퍼에지 인접 부에서의 전하저장전극 리프팅이나 무너짐이 방지되어 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.