METHOD OF MANUFACTURING POWER DEVICE OF TRENCH DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

PURPOSE: A method of manufacturing a power device of a trench double diffused metal oxide(TDMOS) semiconductor is provided to increase the breakdown voltage and reduce the leakage current of the power device by forming a thick oxidation layer in the vicinity of the top and bottom of the trench gate. CONSTITUTION: A method of manufacturing a power device of a trench double diffused metal oxide(TDMOS) semiconductor comprises the steps of: forming a trench after etching an oxidation layer, a nitride layer and an oxidation layer on a substrate, and growing a second nitride layer; growing a first thick oxidation layer on the bottom of the trench by using reactive ion etching; growing a second thick oxidation layer after filling up the inside of the trench with a photoresist layer; eliminating the second thick oxidation layer after evaporating a polysilicon layer, and etching a first nitride layer; and forming a side wall space after eliminating the first nitride layer, and forming a metal electrode. 본 발명은 트렌치 이중확산(TDMOS) 전력소자의 제조방법에 관한 것으로서, TDMOS 구조에서 게이트 바닥의 가장자리와 소스/드레인의 가장자리에 두꺼운 산화막을 성장시킴으로써, 전력소자의 항복전압을 향상시킬 수 있고, 트렌치형 전력소자의 단점인 누설전류 및 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 게이트 정의 및 p오믹 접촉용 이온주입시 자체정렬이 가능함으로써 공정단순화 및 기록밀도 향상과 전력구동향상 그리고 온(on) 저항값을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.