MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
PURPOSE: A manufacturing method of semiconductor device is provided, whereby loss of semiconductor substrate is reduced. The loss of semiconductor substrate is caused by etching process, while the semiconductor substrate is exposed in plasma etching chamber in which ESC method is used. CONSTITUTION:...
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| Format: | Patent |
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| creator | SEO, WON JOON KIM, DAE HEE KIM, SANG WOOK |
| description | PURPOSE: A manufacturing method of semiconductor device is provided, whereby loss of semiconductor substrate is reduced. The loss of semiconductor substrate is caused by etching process, while the semiconductor substrate is exposed in plasma etching chamber in which ESC method is used. CONSTITUTION: A wafer is provided in which a etching mask is formed. The etching mask exposes simultaneously a certain insulation film and the substrate surface. And the etching mask is secured in a plasma etching chamber in which electrostatic chucking method is used. At first, bias RF current is not applied to the secured wafer, and the etching gas is introduced in the etching chamber. And then bias RF current is applied to the wafer, and the insulation film is etched.
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 장치 제조 방법에 관한 것임. 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 ESC 방법을 사용하는 플라즈마 식각 챔버에서 반도체 기판 표면이 노출되는 상태에서 식각공정을 실시할 경우 발생하는 반도체 기판의 손실을 줄일 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공한다. 3. 발명의 해결 방법의 요지 ESC 방법을 사용하는 플라즈마 식각 챔버에 반도체 기판을 고정하는 처킹 단계와 식각 단계 사이에 반도체 기판에 바이어스 전력을 인가하지 않으며 식각 기체를 흘려주는 기체 천이 단계를 실시하여 이후의 식각 단계에서 반도체 기판 표면을 보호하여 기판의 손실을 억제한다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 장치 제조 공정에 이용됨. |
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1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 장치 제조 방법에 관한 것임. 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 ESC 방법을 사용하는 플라즈마 식각 챔버에서 반도체 기판 표면이 노출되는 상태에서 식각공정을 실시할 경우 발생하는 반도체 기판의 손실을 줄일 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공한다. 3. 발명의 해결 방법의 요지 ESC 방법을 사용하는 플라즈마 식각 챔버에 반도체 기판을 고정하는 처킹 단계와 식각 단계 사이에 반도체 기판에 바이어스 전력을 인가하지 않으며 식각 기체를 흘려주는 기체 천이 단계를 실시하여 이후의 식각 단계에서 반도체 기판 표면을 보호하여 기판의 손실을 억제한다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 장치 제조 공정에 이용됨.</description><edition>7</edition><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2000</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20000115&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20000001338A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76418</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20000115&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20000001338A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SEO, WON JOON</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, DAE HEE</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, SANG WOOK</creatorcontrib><title>MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE</title><description>PURPOSE: A manufacturing method of semiconductor device is provided, whereby loss of semiconductor substrate is reduced. The loss of semiconductor substrate is caused by etching process, while the semiconductor substrate is exposed in plasma etching chamber in which ESC method is used. CONSTITUTION: A wafer is provided in which a etching mask is formed. The etching mask exposes simultaneously a certain insulation film and the substrate surface. And the etching mask is secured in a plasma etching chamber in which electrostatic chucking method is used. At first, bias RF current is not applied to the secured wafer, and the etching gas is introduced in the etching chamber. And then bias RF current is applied to the wafer, and the insulation film is etched.
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 장치 제조 방법에 관한 것임. 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 ESC 방법을 사용하는 플라즈마 식각 챔버에서 반도체 기판 표면이 노출되는 상태에서 식각공정을 실시할 경우 발생하는 반도체 기판의 손실을 줄일 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공한다. 3. 발명의 해결 방법의 요지 ESC 방법을 사용하는 플라즈마 식각 챔버에 반도체 기판을 고정하는 처킹 단계와 식각 단계 사이에 반도체 기판에 바이어스 전력을 인가하지 않으며 식각 기체를 흘려주는 기체 천이 단계를 실시하여 이후의 식각 단계에서 반도체 기판 표면을 보호하여 기판의 손실을 억제한다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 장치 제조 공정에 이용됨.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2000</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZNDxdfQLdXN0DgkN8vRzV_B1DfHwd1Hwd1MIdvX1dPb3cwl1DvEPUnBxDfN0duVhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHeQUYGYGBobGzhaEycKgA38SYK</recordid><startdate>20000115</startdate><enddate>20000115</enddate><creator>SEO, WON JOON</creator><creator>KIM, DAE HEE</creator><creator>KIM, SANG WOOK</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20000115</creationdate><title>MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE</title><author>SEO, WON JOON ; KIM, DAE HEE ; KIM, SANG WOOK</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20000001338A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2000</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SEO, WON JOON</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, DAE HEE</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, SANG WOOK</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SEO, WON JOON</au><au>KIM, DAE HEE</au><au>KIM, SANG WOOK</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE</title><date>2000-01-15</date><risdate>2000</risdate><abstract>PURPOSE: A manufacturing method of semiconductor device is provided, whereby loss of semiconductor substrate is reduced. The loss of semiconductor substrate is caused by etching process, while the semiconductor substrate is exposed in plasma etching chamber in which ESC method is used. CONSTITUTION: A wafer is provided in which a etching mask is formed. The etching mask exposes simultaneously a certain insulation film and the substrate surface. And the etching mask is secured in a plasma etching chamber in which electrostatic chucking method is used. At first, bias RF current is not applied to the secured wafer, and the etching gas is introduced in the etching chamber. And then bias RF current is applied to the wafer, and the insulation film is etched.
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 장치 제조 방법에 관한 것임. 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 ESC 방법을 사용하는 플라즈마 식각 챔버에서 반도체 기판 표면이 노출되는 상태에서 식각공정을 실시할 경우 발생하는 반도체 기판의 손실을 줄일 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공한다. 3. 발명의 해결 방법의 요지 ESC 방법을 사용하는 플라즈마 식각 챔버에 반도체 기판을 고정하는 처킹 단계와 식각 단계 사이에 반도체 기판에 바이어스 전력을 인가하지 않으며 식각 기체를 흘려주는 기체 천이 단계를 실시하여 이후의 식각 단계에서 반도체 기판 표면을 보호하여 기판의 손실을 억제한다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 장치 제조 공정에 이용됨.</abstract><edition>7</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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