4 - COMPOSITION FOR FILM DEPOSITION COMPRISING GROUP IV METAL ELEMENT-CONTAINING PRECURSOR COMPOUND AND METHOD FOR FORMING FILM USING THE SAME

The present invention relates to a composition for film deposition comprising a Group IV metal element-containing precursor compound, and a method for forming a Group IV metal element-containing film using the same. According to the present invention, by using the composition for the film deposition comprising a Group IV metal element-containing precursor compound, the self-limiting film growth of ALD can be achieved especially at a high temperature as well as at a low temperature in a broad temperature segment. Therefore, Group IV metal element-containing films for various purposes can be formed at various process temperatures. Especially, according to the method for forming a Group IV metal element-containing film, the film growth per cycle of supplying ALD gas (GPC) is uniform in a broad temperature segment, so that a Group IV metal element-containing film with a uniform thickness can be formed even on surfaces with complex geometries and high aspect ratios. Therefore, the method can be effectively used for manufacturing various semiconductor devices such as DRAM and 3D NAND flash memory and the like. 본 발명은 4족 금속 원소-함유 전구체 화합물을 포함하는 막 증착용 조성물, 및 이를 이용한 4족 금속 원소-함유 막의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 4족 금속 원소-함유 전구체 화합물을 포함하는 막 증착용 조성물을 이용함으로써, 넓은 온도 구간에서, 특히 저온은 물론, 고온에서도 ALD의 자기 제한적(self-limiting) 막 성장을 달성할 수 있어서, 다양한 공정 온도에서 다양한 용도의 4족 금속 원소-함유 막을 형성할 수 있다. 특히, 본 발명의 4족 금속 원소-함유 막의 형성 방법에 따르면, 넓은 온도 구간에서 ALD 기체 공급 주기 당 막 성장(GPC)이 일정하기 때문에 종횡비가 큰 요철이 있는 표면에도 균일한 두께의 4족 금속 원소-함유 막을 형성할 수 있어서, 디램(DRAM), 3차원 낸드(NAND) 플래시 메모리 등 다양한 반도체 소자를 제조하는 데 효과적으로 활용될 수 있다.