ALUMINIUM NITRIDE CERANIC HEATER REPARING METHOD
The present invention relates to a regeneration repair method for an aluminum nitride ceramic heater and an aluminum nitride ceramic heater thereof and, more specifically, to a regeneration repair method for an aluminum nitride ceramic heater used in a manufacturing process for plasma enhanced vapor...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| creator | KANG SEUNG DONG |
| description | The present invention relates to a regeneration repair method for an aluminum nitride ceramic heater and an aluminum nitride ceramic heater thereof and, more specifically, to a regeneration repair method for an aluminum nitride ceramic heater used in a manufacturing process for plasma enhanced vapor deposition (PE-CVD) of a semiconductor, and an aluminum nitride ceramic heater thereof. According to the present invention, the method comprises: a first step of entirely cutting and processing an upper surface of the aluminum nitride ceramic heater to a metal electrode having a circular mesh shape; a second step of bonding, by using an adhesive, an aluminum nitride layer plate in which the metal electrode having the circular mesh shape is embedded and sintered to the cut and processed upper portion of the aluminum nitride ceramic heater; and a third step of molding an upper surface of the aluminum nitride layer plate in which the metal electrode having the circular mesh shape is integrally embedded and sintered. The adhesive is in power form to be placed on the upper surface of the cut and processed ceramic heater in a temporarily sintered state, and when the aluminum nitride layer plate in which the metal electrode is integrally embedded and sintered is placed on the same, the adhesive is completely sintered by compression heating method such that precision bonding of the aluminum nitride layer plate to the upper surface of the ceramic heater can be possible.
본 발명은 질화알루미늄 세라믹히터의 재생 수리방법 및 그에 따른 질화알루미늄 세라믹히터에 관한 것으로, 반도체의 플라즈마 강화 기상증착(PE-CVD)의 제조공정에서 사용되는 질화알루미늄 세라믹히터의 재생 수리방법 및 그에 따른 질화알루미늄 세라믹히터에 관한 것이다. 본 발명은 질화알루미늄 세라믹히터의 상부면을 원형 그물망 형태의 금속 전극까지 전체적으로 절삭가공하는 제1과정; 절삭가공된 질화알루미늄 세라믹히터의 상부에 원형 그물망 형태의 금속 전극이 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트를 접합제를 이용하여 접합하는 제2과정; 및 원형 그물망 형태의 금속 전극이 일체형으로 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트의 상면을 성형하는 제3과정;을 포함한다. 접합제는 분말상태로써 가소결된 상태에서 절삭 가공된 세라믹히터 상부면에 올려지며, 그 위에 상기 금속 전극이 일체형으로 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트가 올려지면 압착가열공법으로 완전 소결되어 세라믹히터 상부면에 대한 질화알루미늄 레이어 플레이트의 정밀한 접합이 가능하도록 한다. |
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본 발명은 질화알루미늄 세라믹히터의 재생 수리방법 및 그에 따른 질화알루미늄 세라믹히터에 관한 것으로, 반도체의 플라즈마 강화 기상증착(PE-CVD)의 제조공정에서 사용되는 질화알루미늄 세라믹히터의 재생 수리방법 및 그에 따른 질화알루미늄 세라믹히터에 관한 것이다. 본 발명은 질화알루미늄 세라믹히터의 상부면을 원형 그물망 형태의 금속 전극까지 전체적으로 절삭가공하는 제1과정; 절삭가공된 질화알루미늄 세라믹히터의 상부에 원형 그물망 형태의 금속 전극이 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트를 접합제를 이용하여 접합하는 제2과정; 및 원형 그물망 형태의 금속 전극이 일체형으로 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트의 상면을 성형하는 제3과정;을 포함한다. 접합제는 분말상태로써 가소결된 상태에서 절삭 가공된 세라믹히터 상부면에 올려지며, 그 위에 상기 금속 전극이 일체형으로 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트가 올려지면 압착가열공법으로 완전 소결되어 세라믹히터 상부면에 대한 질화알루미늄 레이어 플레이트의 정밀한 접합이 가능하도록 한다.</description><language>eng ; kor</language><subject>ELECTRIC HEATING ; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20191030&DB=EPODOC&CC=KR&NR=102038799B1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20191030&DB=EPODOC&CC=KR&NR=102038799B1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KANG SEUNG DONG</creatorcontrib><title>ALUMINIUM NITRIDE CERANIC HEATER REPARING METHOD</title><description>The present invention relates to a regeneration repair method for an aluminum nitride ceramic heater and an aluminum nitride ceramic heater thereof and, more specifically, to a regeneration repair method for an aluminum nitride ceramic heater used in a manufacturing process for plasma enhanced vapor deposition (PE-CVD) of a semiconductor, and an aluminum nitride ceramic heater thereof. According to the present invention, the method comprises: a first step of entirely cutting and processing an upper surface of the aluminum nitride ceramic heater to a metal electrode having a circular mesh shape; a second step of bonding, by using an adhesive, an aluminum nitride layer plate in which the metal electrode having the circular mesh shape is embedded and sintered to the cut and processed upper portion of the aluminum nitride ceramic heater; and a third step of molding an upper surface of the aluminum nitride layer plate in which the metal electrode having the circular mesh shape is integrally embedded and sintered. The adhesive is in power form to be placed on the upper surface of the cut and processed ceramic heater in a temporarily sintered state, and when the aluminum nitride layer plate in which the metal electrode is integrally embedded and sintered is placed on the same, the adhesive is completely sintered by compression heating method such that precision bonding of the aluminum nitride layer plate to the upper surface of the ceramic heater can be possible.
본 발명은 질화알루미늄 세라믹히터의 재생 수리방법 및 그에 따른 질화알루미늄 세라믹히터에 관한 것으로, 반도체의 플라즈마 강화 기상증착(PE-CVD)의 제조공정에서 사용되는 질화알루미늄 세라믹히터의 재생 수리방법 및 그에 따른 질화알루미늄 세라믹히터에 관한 것이다. 본 발명은 질화알루미늄 세라믹히터의 상부면을 원형 그물망 형태의 금속 전극까지 전체적으로 절삭가공하는 제1과정; 절삭가공된 질화알루미늄 세라믹히터의 상부에 원형 그물망 형태의 금속 전극이 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트를 접합제를 이용하여 접합하는 제2과정; 및 원형 그물망 형태의 금속 전극이 일체형으로 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트의 상면을 성형하는 제3과정;을 포함한다. 접합제는 분말상태로써 가소결된 상태에서 절삭 가공된 세라믹히터 상부면에 올려지며, 그 위에 상기 금속 전극이 일체형으로 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트가 올려지면 압착가열공법으로 완전 소결되어 세라믹히터 상부면에 대한 질화알루미늄 레이어 플레이트의 정밀한 접합이 가능하도록 한다.</description><subject>ELECTRIC HEATING</subject><subject>ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2019</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDBw9An19fTzDPVV8PMMCfJ0cVVwdg1y9PN0VvBwdQxxDVIIcg1wDPL0c1fwdQ3x8HfhYWBNS8wpTuWF0twMym6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx3kGGBkYGxhbmlpZOTobGxKkCAMiQJ1A</recordid><startdate>20191030</startdate><enddate>20191030</enddate><creator>KANG SEUNG DONG</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20191030</creationdate><title>ALUMINIUM NITRIDE CERANIC HEATER REPARING METHOD</title><author>KANG SEUNG DONG</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR102038799BB13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2019</creationdate><topic>ELECTRIC HEATING</topic><topic>ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KANG SEUNG DONG</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KANG SEUNG DONG</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>ALUMINIUM NITRIDE CERANIC HEATER REPARING METHOD</title><date>2019-10-30</date><risdate>2019</risdate><abstract>The present invention relates to a regeneration repair method for an aluminum nitride ceramic heater and an aluminum nitride ceramic heater thereof and, more specifically, to a regeneration repair method for an aluminum nitride ceramic heater used in a manufacturing process for plasma enhanced vapor deposition (PE-CVD) of a semiconductor, and an aluminum nitride ceramic heater thereof. According to the present invention, the method comprises: a first step of entirely cutting and processing an upper surface of the aluminum nitride ceramic heater to a metal electrode having a circular mesh shape; a second step of bonding, by using an adhesive, an aluminum nitride layer plate in which the metal electrode having the circular mesh shape is embedded and sintered to the cut and processed upper portion of the aluminum nitride ceramic heater; and a third step of molding an upper surface of the aluminum nitride layer plate in which the metal electrode having the circular mesh shape is integrally embedded and sintered. The adhesive is in power form to be placed on the upper surface of the cut and processed ceramic heater in a temporarily sintered state, and when the aluminum nitride layer plate in which the metal electrode is integrally embedded and sintered is placed on the same, the adhesive is completely sintered by compression heating method such that precision bonding of the aluminum nitride layer plate to the upper surface of the ceramic heater can be possible.
본 발명은 질화알루미늄 세라믹히터의 재생 수리방법 및 그에 따른 질화알루미늄 세라믹히터에 관한 것으로, 반도체의 플라즈마 강화 기상증착(PE-CVD)의 제조공정에서 사용되는 질화알루미늄 세라믹히터의 재생 수리방법 및 그에 따른 질화알루미늄 세라믹히터에 관한 것이다. 본 발명은 질화알루미늄 세라믹히터의 상부면을 원형 그물망 형태의 금속 전극까지 전체적으로 절삭가공하는 제1과정; 절삭가공된 질화알루미늄 세라믹히터의 상부에 원형 그물망 형태의 금속 전극이 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트를 접합제를 이용하여 접합하는 제2과정; 및 원형 그물망 형태의 금속 전극이 일체형으로 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트의 상면을 성형하는 제3과정;을 포함한다. 접합제는 분말상태로써 가소결된 상태에서 절삭 가공된 세라믹히터 상부면에 올려지며, 그 위에 상기 금속 전극이 일체형으로 매설 소결된 질화알루미늄 레이어 플레이트가 올려지면 압착가열공법으로 완전 소결되어 세라믹히터 상부면에 대한 질화알루미늄 레이어 플레이트의 정밀한 접합이 가능하도록 한다.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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