CHACOGENIDE METAL THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

The present invention relates to a chalcogenide metal thin film, and a manufacturing method thereof. The method of manufacturing the chalcogenide metal thin film comprises: a metal layer formation step of forming a metal layer over a substrate; and a chalcogenide metal thin film formation step of inputting the substrate on a low temperature vapor deposition chamber, and implanting chalcogen atom-containing gas and argon gas inside the chamber and then generating a plasma and chemically combining a chalcogen atom decomposed by the plasma with a metal atom composing the metal layer to be formed as the chalcogenide metal thin film. Therefore, provided is the chalcogenide metal thin film and the manufacturing method thereof, by which the chalcogenide metal thin film can directly be formed on a substrate having a low melting point of a plastic or a line in an in situ manner on a corresponding substrate, using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method through which a separate drying process is not required, and the formation of a thin film can be made without passing a separate transfer process to maximize an electrical/physical feature, and high uniformity and reliability can be secured. 본 발명은 금속 칼코게나이드 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법은 기판 상에 금속층을 형성하는 금속층 형성단계; 저온 기상 증착용 챔버 내에 상기 기판을 투입하고, 상기 챔버 내에서 칼코겐 원자-함유 기체와 아르곤 가스를 주입한 후, 플라스마를 발생시켜 상기 플라스마에 의해 분해된 칼코겐 원자가 상기 금속층을 구성하는 금속 원자와 화학적으로 결합되어 금속 칼코게나이드 박막으로 형성되도록 하는 금속 칼코게나이드 박막 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 저온 기상 증착 방법(PECVD)을 이용하여 해당 기판에 in-situ방식으로 플라스틱 등의 낮은 용융점을 가지는 기판에 직접 금속 칼코게나이드 박막을 형성할 수 있고, 이를 통해 별도의 건조공정이 불필요하고, 별도의 전사공정을 거치지 않아도 박막 형성이 가능하여 전기적/물리적 특성을 극대화하고, 높은 균일도와 신뢰도를 담보할 수 있는 금속 칼코게나이드 박막 및 그 제조방법이 제공된다.