DIFFUSION FURNACE

DIFFUSION FURNACE

반도체소자 제조공정이 진행되는 석영관(Quartz tube)이 공정과정에 수평상태를 유지할 수 있는 반도체 제조용 수평형 확산로에 관한 것이다. 본 발명은, 확산공정이 진행되는 원통형의 석영관, 상기 석영관과 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 원통형의 히터, 상기 히터 양쪽 가장자리부와 연결되어 상기 석영관과 외부로 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 한쌍의 원통형 베스티불 블럭, 상기 히터와 상기 석영관 사이의 이격된 공간을 채우는 석영관 패드가 구비된 반도체 제조용 수평형 확산로에 있어서, 상기 베스티불 블럭 내측면에는 상...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: JUNG, DONG OK, KIM, DONG IL
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator JUNG, DONG OK
KIM, DONG IL
description 반도체소자 제조공정이 진행되는 석영관(Quartz tube)이 공정과정에 수평상태를 유지할 수 있는 반도체 제조용 수평형 확산로에 관한 것이다. 본 발명은, 확산공정이 진행되는 원통형의 석영관, 상기 석영관과 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 원통형의 히터, 상기 히터 양쪽 가장자리부와 연결되어 상기 석영관과 외부로 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 한쌍의 원통형 베스티불 블럭, 상기 히터와 상기 석영관 사이의 이격된 공간을 채우는 석영관 패드가 구비된 반도체 제조용 수평형 확산로에 있어서, 상기 베스티불 블럭 내측면에는 상기 석영관을 상기 히터의 중심부에 위치하도록 지지하는 석영관 지지대가 설치됨을 특징으로 한다. 따라서, 히터에서 발산되는 열이 웨이퍼 상에 고르게 전달되어 균일한 막질이 형성되는 효과가 있다.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR100217333BB1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR100217333BB1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR100217333BB13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZBB08XRzCw329PdTcAsN8nN0duVhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHeQYYGBkaG5sbGxk5OhsbEqQIAligerw</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>DIFFUSION FURNACE</title><source>esp@cenet</source><creator>JUNG, DONG OK ; KIM, DONG IL</creator><creatorcontrib>JUNG, DONG OK ; KIM, DONG IL</creatorcontrib><description>반도체소자 제조공정이 진행되는 석영관(Quartz tube)이 공정과정에 수평상태를 유지할 수 있는 반도체 제조용 수평형 확산로에 관한 것이다. 본 발명은, 확산공정이 진행되는 원통형의 석영관, 상기 석영관과 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 원통형의 히터, 상기 히터 양쪽 가장자리부와 연결되어 상기 석영관과 외부로 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 한쌍의 원통형 베스티불 블럭, 상기 히터와 상기 석영관 사이의 이격된 공간을 채우는 석영관 패드가 구비된 반도체 제조용 수평형 확산로에 있어서, 상기 베스티불 블럭 내측면에는 상기 석영관을 상기 히터의 중심부에 위치하도록 지지하는 석영관 지지대가 설치됨을 특징으로 한다. 따라서, 히터에서 발산되는 열이 웨이퍼 상에 고르게 전달되어 균일한 막질이 형성되는 효과가 있다.</description><edition>6</edition><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1999</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19990901&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=100217333B1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19990901&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=100217333B1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>JUNG, DONG OK</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, DONG IL</creatorcontrib><title>DIFFUSION FURNACE</title><description>반도체소자 제조공정이 진행되는 석영관(Quartz tube)이 공정과정에 수평상태를 유지할 수 있는 반도체 제조용 수평형 확산로에 관한 것이다. 본 발명은, 확산공정이 진행되는 원통형의 석영관, 상기 석영관과 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 원통형의 히터, 상기 히터 양쪽 가장자리부와 연결되어 상기 석영관과 외부로 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 한쌍의 원통형 베스티불 블럭, 상기 히터와 상기 석영관 사이의 이격된 공간을 채우는 석영관 패드가 구비된 반도체 제조용 수평형 확산로에 있어서, 상기 베스티불 블럭 내측면에는 상기 석영관을 상기 히터의 중심부에 위치하도록 지지하는 석영관 지지대가 설치됨을 특징으로 한다. 따라서, 히터에서 발산되는 열이 웨이퍼 상에 고르게 전달되어 균일한 막질이 형성되는 효과가 있다.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1999</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBB08XRzCw329PdTcAsN8nN0duVhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHeQYYGBkaG5sbGxk5OhsbEqQIAligerw</recordid><startdate>19990901</startdate><enddate>19990901</enddate><creator>JUNG, DONG OK</creator><creator>KIM, DONG IL</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19990901</creationdate><title>DIFFUSION FURNACE</title><author>JUNG, DONG OK ; KIM, DONG IL</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR100217333BB13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>1999</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>JUNG, DONG OK</creatorcontrib><creatorcontrib>KIM, DONG IL</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>JUNG, DONG OK</au><au>KIM, DONG IL</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DIFFUSION FURNACE</title><date>1999-09-01</date><risdate>1999</risdate><abstract>반도체소자 제조공정이 진행되는 석영관(Quartz tube)이 공정과정에 수평상태를 유지할 수 있는 반도체 제조용 수평형 확산로에 관한 것이다. 본 발명은, 확산공정이 진행되는 원통형의 석영관, 상기 석영관과 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 원통형의 히터, 상기 히터 양쪽 가장자리부와 연결되어 상기 석영관과 외부로 이격되면서 상기 석영관을 감싸고 있는 한쌍의 원통형 베스티불 블럭, 상기 히터와 상기 석영관 사이의 이격된 공간을 채우는 석영관 패드가 구비된 반도체 제조용 수평형 확산로에 있어서, 상기 베스티불 블럭 내측면에는 상기 석영관을 상기 히터의 중심부에 위치하도록 지지하는 석영관 지지대가 설치됨을 특징으로 한다. 따라서, 히터에서 발산되는 열이 웨이퍼 상에 고르게 전달되어 균일한 막질이 형성되는 효과가 있다.</abstract><edition>6</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; kor
recordid cdi_epo_espacenet_KR100217333BB1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title DIFFUSION FURNACE
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-02T22%3A55%3A31IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=JUNG,%20DONG%20OK&rft.date=1999-09-01&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR100217333BB1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true