GATE FABRICATION METHOD OF MOSFET

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	PARK, HYUNG-MOO, YU, HYUNG-JOON, CHOE, SANG-SOO, YUN, HYUNG-SUB, LEE, JIN-HEE, PARK, CHOL-SOON
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!