FEEDBACK LOOP FOR CONTROLLING PULSED VOLTAGE WAVEFORM
To provide an apparatus and method of controlling the delivery of power to plasma formed in a plasma processing chamber used in semiconductor manufacturing.SOLUTION: A feedback loop 100 electrically coupled to one or more electrical components found in a plasma processing system 50 is used to mainta...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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creator | RAJINDER DHINDSA LEONID DORF EVGENY KAMENETSKIY JAMES ROGERS OLIVIER LUERE VIACHESLAV PLOTNIKOV |
description | To provide an apparatus and method of controlling the delivery of power to plasma formed in a plasma processing chamber used in semiconductor manufacturing.SOLUTION: A feedback loop 100 electrically coupled to one or more electrical components found in a plasma processing system 50 is used to maintain a nearly constant sheath voltage and thus create a mono-energetic ion energy distribution function (IEDF) at a surface of a substrate. Multiple input channels 110N electrically coupled to respective acquisition channels 122N of a fast data acquisition module within the feedback loop have different degrees of attenuation of an incoming signal because of differences in types of components such as voltage dividing components or filtering components found within the respective input channels. The fast data acquisition module also comprises a data acquisition controller and a non-volatile memory.SELECTED DRAWING: Figure 1B
【課題】半導体製造で使用されるプラズマ処理チャンバ内で形成されたプラズマへの電力の供給を制御する装置及び方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理システム50内に見い出される1つ又は複数の電気構成要素に電気的に連結されたフィードバックループ100であって、フィードバックループは、ほぼ一定のシース電圧を維持し、ひいては、基板の表面で単一エネルギー性のイオンエネルギー分布関数(IEDF)を生成するために使用される。フィードバックループ内の、高速データ収集モジュールの収集チャネル122Nにそれぞれ電気的に連結された複数の入力チャネル110Nは、それぞれの入力チャネル内にある分圧構成要素又はフィルタリング構成要素等の構成要素の種類の違いにより、それぞれ様々な入力信号の減衰度を有する。高速データ収集モジュールはまた、データ収集コントローラ及び不揮発性メモリを備える。【選択図】図1B |
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【課題】半導体製造で使用されるプラズマ処理チャンバ内で形成されたプラズマへの電力の供給を制御する装置及び方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理システム50内に見い出される1つ又は複数の電気構成要素に電気的に連結されたフィードバックループ100であって、フィードバックループは、ほぼ一定のシース電圧を維持し、ひいては、基板の表面で単一エネルギー性のイオンエネルギー分布関数(IEDF)を生成するために使用される。フィードバックループ内の、高速データ収集モジュールの収集チャネル122Nにそれぞれ電気的に連結された複数の入力チャネル110Nは、それぞれの入力チャネル内にある分圧構成要素又はフィルタリング構成要素等の構成要素の種類の違いにより、それぞれ様々な入力信号の減衰度を有する。高速データ収集モジュールはまた、データ収集コントローラ及び不揮発性メモリを備える。【選択図】図1B</description><language>eng ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240618&DB=EPODOC&CC=JP&NR=2024081653A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240618&DB=EPODOC&CC=JP&NR=2024081653A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>RAJINDER DHINDSA</creatorcontrib><creatorcontrib>LEONID DORF</creatorcontrib><creatorcontrib>EVGENY KAMENETSKIY</creatorcontrib><creatorcontrib>JAMES ROGERS</creatorcontrib><creatorcontrib>OLIVIER LUERE</creatorcontrib><creatorcontrib>VIACHESLAV PLOTNIKOV</creatorcontrib><title>FEEDBACK LOOP FOR CONTROLLING PULSED VOLTAGE WAVEFORM</title><description>To provide an apparatus and method of controlling the delivery of power to plasma formed in a plasma processing chamber used in semiconductor manufacturing.SOLUTION: A feedback loop 100 electrically coupled to one or more electrical components found in a plasma processing system 50 is used to maintain a nearly constant sheath voltage and thus create a mono-energetic ion energy distribution function (IEDF) at a surface of a substrate. Multiple input channels 110N electrically coupled to respective acquisition channels 122N of a fast data acquisition module within the feedback loop have different degrees of attenuation of an incoming signal because of differences in types of components such as voltage dividing components or filtering components found within the respective input channels. The fast data acquisition module also comprises a data acquisition controller and a non-volatile memory.SELECTED DRAWING: Figure 1B
【課題】半導体製造で使用されるプラズマ処理チャンバ内で形成されたプラズマへの電力の供給を制御する装置及び方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理システム50内に見い出される1つ又は複数の電気構成要素に電気的に連結されたフィードバックループ100であって、フィードバックループは、ほぼ一定のシース電圧を維持し、ひいては、基板の表面で単一エネルギー性のイオンエネルギー分布関数(IEDF)を生成するために使用される。フィードバックループ内の、高速データ収集モジュールの収集チャネル122Nにそれぞれ電気的に連結された複数の入力チャネル110Nは、それぞれの入力チャネル内にある分圧構成要素又はフィルタリング構成要素等の構成要素の種類の違いにより、それぞれ様々な入力信号の減衰度を有する。高速データ収集モジュールはまた、データ収集コントローラ及び不揮発性メモリを備える。【選択図】図1B</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDB1c3V1cXJ09lbw8fcPUHDzD1Jw9vcLCfL38fH0c1cICPUJdnVRCPP3CXF0d1UIdwxzBSrx5WFgTUvMKU7lhdLcDEpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8V4BRgZGJgYWhmamxo7GRCkCADzDKCU</recordid><startdate>20240618</startdate><enddate>20240618</enddate><creator>RAJINDER DHINDSA</creator><creator>LEONID DORF</creator><creator>EVGENY KAMENETSKIY</creator><creator>JAMES ROGERS</creator><creator>OLIVIER LUERE</creator><creator>VIACHESLAV PLOTNIKOV</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240618</creationdate><title>FEEDBACK LOOP FOR CONTROLLING PULSED VOLTAGE WAVEFORM</title><author>RAJINDER DHINDSA ; LEONID DORF ; EVGENY KAMENETSKIY ; JAMES ROGERS ; OLIVIER LUERE ; VIACHESLAV PLOTNIKOV</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_JP2024081653A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; jpn</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>RAJINDER DHINDSA</creatorcontrib><creatorcontrib>LEONID DORF</creatorcontrib><creatorcontrib>EVGENY KAMENETSKIY</creatorcontrib><creatorcontrib>JAMES ROGERS</creatorcontrib><creatorcontrib>OLIVIER LUERE</creatorcontrib><creatorcontrib>VIACHESLAV PLOTNIKOV</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>RAJINDER DHINDSA</au><au>LEONID DORF</au><au>EVGENY KAMENETSKIY</au><au>JAMES ROGERS</au><au>OLIVIER LUERE</au><au>VIACHESLAV PLOTNIKOV</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>FEEDBACK LOOP FOR CONTROLLING PULSED VOLTAGE WAVEFORM</title><date>2024-06-18</date><risdate>2024</risdate><abstract>To provide an apparatus and method of controlling the delivery of power to plasma formed in a plasma processing chamber used in semiconductor manufacturing.SOLUTION: A feedback loop 100 electrically coupled to one or more electrical components found in a plasma processing system 50 is used to maintain a nearly constant sheath voltage and thus create a mono-energetic ion energy distribution function (IEDF) at a surface of a substrate. Multiple input channels 110N electrically coupled to respective acquisition channels 122N of a fast data acquisition module within the feedback loop have different degrees of attenuation of an incoming signal because of differences in types of components such as voltage dividing components or filtering components found within the respective input channels. The fast data acquisition module also comprises a data acquisition controller and a non-volatile memory.SELECTED DRAWING: Figure 1B
【課題】半導体製造で使用されるプラズマ処理チャンバ内で形成されたプラズマへの電力の供給を制御する装置及び方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理システム50内に見い出される1つ又は複数の電気構成要素に電気的に連結されたフィードバックループ100であって、フィードバックループは、ほぼ一定のシース電圧を維持し、ひいては、基板の表面で単一エネルギー性のイオンエネルギー分布関数(IEDF)を生成するために使用される。フィードバックループ内の、高速データ収集モジュールの収集チャネル122Nにそれぞれ電気的に連結された複数の入力チャネル110Nは、それぞれの入力チャネル内にある分圧構成要素又はフィルタリング構成要素等の構成要素の種類の違いにより、それぞれ様々な入力信号の減衰度を有する。高速データ収集モジュールはまた、データ収集コントローラ及び不揮発性メモリを備える。【選択図】図1B</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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